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    本發明課題在於提供一種耐熱性優良之薄膜裝置、及提供一種該薄膜裝置製作用之耐熱性樹脂層與無機物層之積層體。解決手段為一種積層體之製造方法，係至少由無機層與樹脂薄膜構成之積層體、及利用該積層體之薄膜裝置之製造方法，其特徵為包含下述步驟(1)~(3)：(1)對無機層之至少單面的表面實施偶合劑處理之步驟；(2)對經前述偶合劑處理之無機層的至少單面，按照預先決定之圖案進行UV照射處理，藉以設置無機層與樹脂層之間之剝離強度相異的部分之步驟；及(3)將在該圖案化之無機層的偶合劑處理面上塗布樹脂溶液、或樹脂前驅體溶液得到的塗布溶液層乾燥並實施熱處理，而形成前述樹脂層之步驟。且，使用該積層體製作裝置後，藉由按照預先決定之圖案進行UV曝光之步驟，將對基板之接著剝離強度較弱的部分從前述無機基板剝離，即可完成薄膜裝置的製作。
    公开号:TW201307061A
    申请号:TW101113183
    申请日:2012-04-13
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Masahiro Tamada；Toshiyuki Tsuchiya；Tetsuo Okuyama；Kazuyuki Ouya；Satoshi Maeda
    申请人:Toyo Boseki；
    IPC主号:B32B27-00
    专利说明:
    積層體與其製造方法、使用該積層體之裝置構造體之製作方法
    本發明係有關由樹脂層與無機層構成的積層體之製造方法，更詳言之，係按照預先決定之圖案而具有堅固接著之部分與可容易剝離之部分的該積層體之製造方法。更詳言之，本發明係有關將積層體積層之方法，所述積層體係將聚醯亞胺層暫時或半永久性地積層於無機基板而成，並包含半導體元件、MEMS元件等薄膜，在將需進行細微加工之裝置形成於樹脂層表面時係屬有用。
    更者，本發明相關之積層體係將耐熱性與絕緣性優良之薄樹脂層及選自具有與其大致相同程度之線膨脹係數的玻璃板、陶瓷板、矽晶圓、金屬的一種無機層積層而成之積層體，其係可安裝精緻電路之尺寸穩定性、耐熱性與絕緣性優良之積層體。本發明係有關此種積層體、其製造方法及利用該積層體之裝置構造體。
    近年來，以感測器元件、MEMS元件、顯示器元件等功能元件的輕量化、小型化、薄膜化、柔性化為目的，在高分子薄膜上形成此等元件的技術開發積極地進行中。舉例而言，以往係使用具耐熱性並可因應資訊通訊設備之信號頻寬之高頻化(達GHz頻帶)的陶瓷，作為資訊通訊設備(播放設備、行動無線、便攜式通訊設備等)、雷達或高速資訊處理裝置等電子零件基材之材料，惟陶瓷為非可撓性且不易薄型化，因而有可應用之領域受限的缺點。
    將半導體元件、感測器元件、MEMS元件、顯示器元件等功能元件形成於樹脂薄膜表面時，係以透過利用樹脂薄膜特性之可撓性的所謂捲繞式(roll-to-roll)製程來進行加工被視為理想。惟，在半導體產業、感測器產業、MEMS產業、顯示器產業界中，已逐漸建構起以晶圓基座或玻璃基板基座之硬式平面基板為對象的製程技術。就實際選擇而言，藉由將樹脂薄膜貼合於包含金屬板、晶圓、玻璃基板等無機物的硬式支持基板上，並形成所要之元件後將其由支持基板剝離，便可製得利用既存設施形成於樹脂薄膜上的功能元件。
    以往，樹脂薄膜對包含無機物之支持體的貼合係使用黏著劑、接著劑來廣泛進行(專利文獻1)。然而，在樹脂薄膜與包含無機物之支持基板貼合而成的積層體上形成所要之功能元件時，在進行所述功能元件的形成方面，則該積層體係要求無障礙水準的表面平滑性、尺寸穩定性、潔淨性、對製程溫度之耐性、對細微加工用藥液之耐性。特別是當多晶矽、氧化物半導體等之功能元件的形成溫度較高時，需要200~500℃左右之溫度區域下的製程。例如在製作低溫多晶矽薄膜電晶體時，為進行去氫化則有時需實施450℃、2小時左右的加熱處理，而在製作氫化非晶質矽薄膜時，則可能會對薄膜施加200℃至300℃左右之溫度。如此，當功能元件的形成溫度較高時，遑論樹脂薄膜需有耐熱性，樹脂薄膜與支持體的接合面(即貼合用接著劑、黏著劑)亦須耐受該加工溫度。然而，由於習知貼合用接著劑、黏著劑尚未具有充分的耐熱性，現況為於功能元件的形成溫度較高時並無法應用。
    此外，半導體薄膜當中就Si而言，其線膨脹係數為3ppm/℃左右而極小，將Si薄膜形成於樹脂薄膜上時，倘若薄膜與薄膜之間的線膨脹係數差大，應力便累積於薄膜中而造成性能劣化、薄膜彎曲/剝離。特別是在薄膜製程中施加高溫時，於溫度變化之間由基板與薄膜之間的線膨脹係數差所產生的應力會增大。
    就與包含無機物之支持體貼合的高分子薄膜而言，由耐熱性觀點，熔點低之薄膜較不適合，例如使用包含聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺、聚四氟乙烯之樹脂薄膜、玻璃纖維強化環氧樹脂。包含聚醯亞胺之薄膜其耐熱性優異且強韌，故具備可減薄樹脂薄膜的優點。然而，聚醯亞胺薄膜層一般而言其線膨脹係數較大，溫度變化導致的尺寸變化較為顯著，而有不適於製造具細微配線之電路等問題，可使用的領域有限。如此，仍未獲得使用具充分物性的聚醯亞胺層作為具備耐熱性、高機械物性、可撓性之基材用的裝置。
    作為提高拉伸彈性率之聚醯亞胺薄膜層，係提出有包含主鏈上具有苯并唑環之聚醯亞胺的聚醯亞胺苯并唑薄膜(參照專利文獻2)。亦提出有以該聚醯亞胺苯并唑薄膜作為介電層的印刷配線板(參照專利文獻3、專利文獻4)。
    此等包含主鏈上具有苯并唑環之聚醯亞胺的聚醯亞胺苯并唑薄膜其拉伸斷裂強度、拉伸彈性率既經改良，且線膨脹係數亦處於可滿足之範圍，惟於其優良機械物性的另一方面，將其製成愈薄則處理上愈趨困難，而存有機械、力學上不充分等課題。
    此外，亦已進行於此等聚醯亞胺薄膜上設置熱塑性樹脂等黏著劑層並設置其他結構補強物的嘗試，惟，即便結構上的改良可滿足，然此等熱塑性樹脂等之耐熱性低而仍有耗損得來不易之聚醯亞胺薄膜耐熱性的傾向。且熱塑性樹脂一般而言其線膨脹係數較大，且於減薄此層方面存有限制，從而有對加熱時的尺寸穩定性亦造成不利影響的傾向。
    另一方面，就採用樹脂基板之具有柔軟性的顯示裝置而言，已揭露進行：於固定基板上，隔著作為剝離層的非晶質矽膜形成樹脂基板之步驟；於前述樹脂基板上至少形成TFT元件之步驟；藉由對前述非晶質矽膜照射雷射光，而於前述非晶質矽膜上由前述固定基板剝離前述樹脂基板之步驟，來製作前述採用樹脂基板之具有柔軟性的顯示裝置(專利文獻5)。惟，於剝離之際係對接著劑層使用雷射照射或蝕刻手段，而導致製程繁瑣且成本高。經由UV照射處理來黏接樹脂薄膜彼此係為已知者，並顯示此時使用偶合劑亦屬有效(專利文獻6)。惟，該技術終究係與樹脂薄膜彼此之黏接相關，並未進行利用偶合劑自身之UV光照射來控制接著剝離力。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]日本特開2008-159935號公報
    [專利文獻2]日本特開平06-056992號公報
    [專利文獻3]日本特表平11-504369號公報
    [專利文獻4]日本特表平11-505184號公報
    [專利文獻5]日本特開2009-260387號公報
    [專利文獻6]日本特開2008-19348號公報
    本發明係著眼於上述情形而開發者，其目的在於提供一種積層體，其係用於各種裝置積層用之基材的樹脂層與無機層的積層體，其在裝置製作時之高溫製程中亦不會發生剝離，且在製作聚醯亞胺層上之裝置後可容易地由無機層剝離樹脂層。
    本發明人等致力進行探討的結果發現，只要對無機基板的至少一面進行偶合劑處理，接著實施供形成接著剝離強度相異、表面粗糙度大致相同之良好接著部分與易剝離部分的圖案化處理，再於經該圖案化處理的面上形成樹脂層並黏接無機層與樹脂層，於良好接著部分便展現在裝置製作時之高溫製程中亦不會發生剝離的充分接著剝離強度，且於裝置製作後將易剝離部分劃出切口，即可將附有裝置之樹脂薄膜由支持體輕易地剝除；進一步發現，藉由使用特定組成之聚醯亞胺作為樹脂層，便可進一步提高耐熱性，且聚醯亞胺層之尺寸穩定性與支持體相近，故亦能夠獲得積層體之彎曲、變形得以減小之優點，本發明即臻完成。
    即，本發明係包含以下構成：
    1.一種積層體之製造方法，係至少由無機層與樹脂薄膜構成之積層體之製造方法，其特徵為包含下述步驟(1)~(3)：(1)對無機層之至少單面的表面實施偶合劑處理之步驟；(2)對經由上述步驟(1)而經偶合劑處理之無機層的至少單面，進行供形成無機層與樹脂層之間的接著剝離強度相異、表面粗糙度大致相同之良好接著部分與易剝離部分的圖案化處理之步驟；及(3)將在經由上述步驟(2)而圖案化之無機層的偶合劑處理面上塗布樹脂溶液、或樹脂前驅體溶液得到的塗布溶液層乾燥，接著實施熱處理而形成前述樹脂層之步驟。
    2.如1.項之積層體之製造方法，其中前述圖案化處理係透過對偶合劑處理層的一部分實施鈍化處理，形成既定圖案來進行。
    3.如2.項之積層體之製造方法，其中前述鈍化處理係進行在將既定部分被覆或遮蔽後進行之並選自包含鼓風處理、真空電漿處理、大氣壓電漿處理、電暈處理、活性放射線照射處理、活性氣體處理、及藥液處理之群組中的至少一種處理。
    4.如3.項之積層體之製造方法，其中前述活性放射線處理係UV照射處理。
    5.如1.至4.項中任一項之積層體之製造方法，其中前述樹脂層係包含藉由芳香族二胺類與芳香族四羧酸類的反應所得之聚醯亞胺。
    6.如1.至5.項中任一項之積層體之製造方法，其中前述樹脂層係包含藉由芳香族二胺類與芳香族四羧酸類的反應所得之聚醯亞胺，該芳香族二胺類的70mol%以上至少包含選自具有苯并唑結構之芳香族二胺、具有二胺基二苯醚結構之芳香族二胺及具有苯二胺結構之芳香族二胺的一種以上而成的芳香族二胺類，該芳香族四羧酸類中的70mol%以上則至少包含選自苯均四酸二酐、聯苯四羧酸二酐的一種以上而成的芳香族四羧酸類。
    7.一種由如1.至6.項中任一項之製造方法得到之積層體，係將無機層與樹脂層隔著偶合劑處理層積層而成，其特徵為具有前述無機層與前述樹脂層之間之剝離強度相異的良好接著部分與易剝離部分，且該良好接著部分與該易剝離部分形成有既定圖案。
    8.如7.項之積層體，其中前述易剝離部分之無機層與樹脂層之間的180度剝離強度於良好接著部分係1N/cm以上，前述易剝離部分之無機層與樹脂層之間的180度剝離強度係前述良好接著部分之無機層與樹脂層之間的180度剝離強度的50%以下。
    9.如7.或8.項之積層體，其中前述樹脂層的厚度為0.5μm~50μm，前述樹脂層之面方向的線膨脹係數為-5ppm/℃~+35ppm/℃。
    10.一種裝置構造體之製造方法，係製造在樹脂層上形成裝置而成的構造體之方法，其特徵為使用具有無機層與樹脂層之如7.至9.項中任一項之積層體，且於該積層體之樹脂層上形成裝置後，將前述積層體之易剝離部分的樹脂層劃出切口，以將該樹脂層由前述無機層剝離。
    以本發明之製造方法所得之積層體係無機層(玻璃板、陶瓷板、矽晶圓、金屬等)的一面與樹脂層隔著偶合劑層貼合而成之積層體；按照預先決定之圖案，使無機層與樹脂層之接著剝離強度相異，於良好接著部分與易剝離部分之聚醯亞胺表面依圖案加以分割，因此在樹脂層上製作裝置後，將易剝離部分之樹脂薄膜劃出切口並剝離之，由此即可輕易地製得附有裝置之樹脂層。
    根據本發明，可於呈絕緣性且兼備可撓性、耐熱性的薄樹脂層上形成電路等。其為一種進一步裝配電子零件而製作電子裝置時，藉由積層於為薄樹脂層但尺寸穩定性仍優良之無機層並加以固定，即可進行精密的定位，並能以多層進行薄膜製作、電路形成等，即使在製程中加熱亦不會發生剝離，且於裝置製作後視需求將該無機基板剝離時，可順利實施樹脂層與基板的剝離，又具有通過製程時不會發生剝離之剝離強度之積層體，因此可直接使用習知電子裝置製作程序。
    此外，採用單晶及多晶矽之太陽電池等隨著薄型化的進展，容易發生破裂，且有完成後之耐久性方面的問題，而如本發明所述將作為基板之聚醯亞胺層與無機層製成積層體，便可解決此等問題。又此時由於存有輕易剝除之部分，因此能夠製作可拉出電極的補強基板。[實施發明之形態] (積層體)
    本發明積層體之製造方法係製造至少由無機層與樹脂層構成之積層體之方法。 (無機層)
    本發明中的無機層只要是包含無機物並可用作基板之板狀物即可，可例舉如以玻璃板、陶瓷板、矽晶圓、金屬為主體者、及將此等玻璃板、陶瓷板、矽晶圓、金屬積層為複合體者、分散有此等者、含有此等之纖維者。
    就前述玻璃板而言，係包含石英玻璃、高矽酸玻璃(96%氧化矽)、鹼石灰玻璃、鉛玻璃、鋁硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃(Pyrex(註冊商標))、硼矽酸玻璃(無鹼)、硼矽酸玻璃(微型板)、鋁矽酸鹽玻璃等。此等當中較佳為線膨脹係數為5ppm/℃以下者，市售品較佳為液晶用玻璃之CORNING公司製「CORNING 7059」、「CORNING 1737」、「EAGLE」、旭硝子公司製「AN100」、日本電氣硝子公司製「OA10」、SCHOTT公司製「AF32」等。
    就前述陶瓷板而言，係包含Al2O3、多鋁紅柱石(mullite)、AlN、SiC、Si3N4、結晶化玻璃、堇青石、鋰輝石、Pb-BSG+CaZrO3+Al2O3、結晶化玻璃+Al2O3、結晶化Ca-BSG、BSG+石英、BSG+Al2O3、Pb+BSG+Al2O3、玻璃陶瓷、微晶玻璃(Zerodur)材等基板用陶瓷、TiO2、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、氧化鋁、MgO、塊滑石(steatite)、BaTi4O9、BaTiO3、BaTi4+CaZrO3、BaSrCaZrTiO3、Ba(TiZr)O3、PMN-PT、PFN-PFW等電容材料、PbNb2O6、Pb0.5Be0.5Nb2O6、PbTiO3、BaTiO3、PZT、0.855PZT-0.95PT-0.5BT、0.873PZT-0.97PT-0.3BT、PLZT等壓電材料。
    就前述矽晶圓而言，係包含由n型或p型摻雜之矽晶圓、本質矽晶圓等全部，亦包括矽晶圓表面上堆積有氧化矽層、各種薄膜之矽晶圓，除矽晶圓以外，亦常用鍺、矽鍺、鎵砷、鋁鎵銦、氮磷砷銻。又包括InP(磷化銦)、InGaAs、GaInNAs、LT、LN、ZnO(氧化鋅)或CdTe(碲化鎘)、ZnSe(硒化鋅)等通用半導體晶圓。
    就前述金屬而言，係包含W、Mo、Pt、Fe、Ni、Au等單一元素金屬、英高鎳、莫內爾合金、鎳鉻立克、碳銅、Fe-Ni系恆範鋼(invar)合金、超級鍛鋼合金等合金。又包含此等金屬中附加有其他金屬層、陶瓷層而成之多層金屬板。此時，包含附加層的整體CTE若較低，則主金屬層亦可使用Cu、Al等。可用作附加金屬層的金屬只要是與聚醯亞胺薄膜之密接性堅固者、無擴散、具有耐化學藥品性或耐熱性良好等特性者則未加以限定，惟可例舉鉻、鎳、TiN、含有Mo之Cu作為較佳實例。
    前述無機層之平面部分係以充分平坦為佳。具體而言，表面粗糙度之P-V值為50nm以下，較佳為20nm以下，更佳為5nm以下。若較此更粗糙時，會有聚醯亞胺層與無機層之剝離強度不充分之虞。 (樹脂層)
    就本發明中之樹脂層而言，較佳為由聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、全芳香族聚酯、具有介相性骨架之環氧樹脂、聚縮醛、聚碳酸酯、聚苯醚、聚碸、聚醚碸、氟樹脂、聚苯并唑、聚苯并咪唑、聚苯并噻唑、聚醯亞胺、芳香族聚醯胺醯亞胺、芳香族聚醚醚酮、芳香族聚醚酮酮、聚苯硫、芳香族聚芳香酯所例示之耐熱性樹脂構成的樹脂層。可應用前述之耐熱性優異且強韌之樹脂材料，其中更佳為由聚醯亞胺構成的樹脂層。由於需具耐熱性並要求尺寸穩定性，就具有芳香環且極性較大之連結基團而言，更佳具有-CONH-、-COO-、-CO-、-SO-所例示之基團。更者，由耐熱、尺寸穩定觀點，於高分子主鏈中導入雙重鏈結構而具有剛性棒狀結構亦較佳。就其他考量方式而言，具有三維網目結構亦屬提升耐熱性之手段。 (聚醯胺酸)
    本發明中的聚醯亞胺之前驅體之聚醯胺酸係藉由芳香族二胺類與芳香族四羧酸類反應所得之聚醯胺酸，屬聚醯亞胺之前驅體。該聚醯胺酸可藉由在溶劑中使芳香族二胺類與芳香族四羧酸類反應而得到。 (芳香族二胺類)
    重要的是，構成聚醯胺酸之芳香族二胺類其70mol%以上(即全芳香族二胺類的70mol%以上)係選自具有苯并唑結構之芳香族二胺、具有4,4’-二胺基二苯醚結構之芳香族二胺及具有對苯二胺結構之芳香族二胺的至少一種以上而成的芳香族二胺類。以既定量使用該二胺，便可獲得剛性分子高度配向之呈高彈性率、低熱收縮、低線膨脹係數且具高耐熱性之聚醯亞胺層。前述二胺類當中，係以使用具有苯并唑結構之芳香族二胺為佳。
    此外，具有苯并唑結構之芳香族二胺、具有4,4’-二胺基二苯醚結構之芳香族二胺及具有對苯二胺結構之芳香族二胺的至少一種較佳為芳香族二胺類的80mol%以上，更佳為90mol%以上。
    具有苯并唑結構之芳香族二胺的分子結構並未特別限定，具體可例舉以下者。具有苯并唑結構之芳香族二胺可單獨使用或併用二種以上：5-胺基-2-(對胺基苯基)苯并唑、6-胺基-2-(對胺基苯基)苯并唑、5-胺基-2-(間胺基苯基)苯并唑、6-胺基-2-(間胺基苯基)苯并唑、2,2’對伸苯基雙(5-胺基苯并唑)、2,2’-對伸苯基雙(6-胺基苯并唑)、1-(5-胺基苯并唑基)-4-(6-胺基唑基)苯、2,6-(4,4’-二胺基苯基)苯并[1,2-d：5,4-d’]雙唑、2,6-(4,4’-二胺基苯基)苯并[1,2-d：4,5-d’]雙唑、2,6-(3,4’-二胺基苯基)苯并[1,2-d：5,4-d’]雙唑、2,6-(3,4’-二胺基苯基)苯并[1,2-d：4,5-d’]雙唑、2,6-(3,3’-二胺基苯基)苯并[1,2-d：5,4-d’]雙唑、2,6-(3,3’-二胺基苯基)苯并[1,2-d：4,5-d’]雙唑。
    此等當中，由合成難易度觀點而言，較佳為胺基(胺基苯基)苯并唑之各異構物，更佳為5-胺基-2-(對胺基苯基)苯并唑。於此，「各異構物」係指胺基(胺基苯基)苯并唑所具有之兩個胺基依其配位位置而定之各異構物。
    就具二胺基二苯醚結構之芳香族二胺而言，係可例舉4,4’-二胺基二苯醚(4,4’-氧基二苯胺基)、3,3’-二胺基二苯醚及3,4’-二胺基二苯醚，特佳為4,4’-二胺基二苯醚。
    就具有苯二胺結構之芳香族二胺而言，係可例舉對苯二胺(1,4-二胺基苯)、間苯二胺、鄰苯二胺，特佳為對苯二胺。
    本發明中，只要為全部二胺的30莫耳%以下，則下述所例示之二胺類可使用一種或併用二種以上。此種二胺類可例舉如4,4’-雙(3-胺基苯氧基)聯苯、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、間苯二胺、對苯二胺、3,3’-二胺基二苯基硫醚、3,3’-二胺基二苯基亞碸、3,4’-二胺基二苯基亞碸、4,4’-二胺基二苯基亞碸、3,3’-二胺基二苯基碸、3,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯甲酮、3,4’-二胺基二苯甲酮、4,4’-二胺基二苯甲酮、3,3’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基甲烷、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]甲烷、1,1-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]乙烷、1,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]乙烷、1,1-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、1,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、1,1-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丁烷、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丁烷、1,4-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丁烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丁烷、2,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丁烷、2-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-2-[4-(4-胺基苯氧基)-3-甲基苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)-3-甲基苯基]丙烷、2-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-2-[4-(4-胺基苯氧基)-3,5-二甲基苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)-3,5-二甲基苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]酮、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]亞碸、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]醚、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]醚、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,3-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,4-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、4,4’-雙[(3-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯、1,1-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、1,3-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、3,4’-二胺基二苯基硫醚、2,2-雙[3-(3-胺基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]甲烷、1,1-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]乙烷、1,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]乙烷、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]亞碸、4,4’-雙[3-(4-胺基苯氧基)苯甲醯基]二苯基醚、4,4’-雙[3-(3-胺基苯氧基)苯甲醯基]二苯基醚、4,4’-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苯甲基)苯氧基]二苯甲酮、4,4’-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苯甲基)苯氧基]二苯基碸、雙[4-{4-(4-胺基苯氧基)苯氧基}苯基]碸、1,4-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯氧基-α,α-二甲基苯甲基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯氧基-α,α-二甲基苯甲基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基-6-三氟甲基苯氧基)-α,α-二甲基苯甲基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基-6-氟苯氧基)-α,α-二甲基苯甲基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基-6-甲基苯氧基)-α,α-二甲基苯甲基]苯、1,3-雙[4-(4-胺基-6-氰基苯氧基)-α,α-二甲基苯甲基]苯、3,3’-二胺基-4,4’-二苯氧基二苯甲酮、4,4’-二胺基-5,5’-二苯氧基二苯甲酮、3,4’-二胺基-4,5’-二苯氧基二苯甲酮、3,3’-二胺基-4-苯氧基二苯甲酮、4,4’-二胺基-5-苯氧基二苯甲酮、3,4’-二胺基-4-苯氧基二苯甲酮、3,4’-二胺基-5’-苯氧基二苯甲酮、3,3’-二胺基-4,4’-二聯苯氧基二苯甲酮、4,4’-二胺基-5,5’-二聯苯氧基二苯甲酮、3,4’-二胺基-4,5’-二聯苯氧基二苯甲酮、3,3’-二胺基-4-聯苯氧基二苯甲酮、4,4’-二胺基-5-聯苯氧基二苯甲酮、3,4’-二胺基-4-聯苯氧基二苯甲酮、3,4’-二胺基-5’-聯苯氧基二苯甲酮、1,3-雙(3-胺基-4-苯氧基苯甲醯基)苯、1,4-雙(3-胺基-4-苯氧基苯甲醯基)苯、1,3-雙(4-胺基-5-苯氧基苯甲醯基)苯、1,4-雙(4-胺基-5-苯氧基苯甲醯基)苯、1,3-雙(3-胺基-4-聯苯氧基苯甲醯基)苯、1,4-雙(3-胺基-4-聯苯氧基苯甲醯基)苯、1,3-雙(4-胺基-5-聯苯氧基苯甲醯基)苯、1,4-雙(4-胺基-5-聯苯氧基苯甲醯基)苯、2,6-雙[4-(4-胺基-α,α-二甲基苯甲基)苯氧基]苯甲腈、2,2’-雙(聯苯基)聯苯胺及上述芳香族二胺之芳香環上的一部分或全部氫原子由鹵素原子、碳數1~3之烷基或烷氧基、氰基取代，或由烷基或烷氧基的一部分或全部氫原子經鹵素原子取代之碳數1~3之鹵烷基或烷氧基取代之芳香族二胺等。 <芳香族四羧酸類>
    就構成聚醯胺酸之芳香族四羧酸類而言，並未特別限制，可使用通常用於聚醯亞胺合成的芳香族四羧酸或此等之酸酐。若芳香族四羧酸類為酸酐時，於分子內酐結構可為一個或兩個，較佳為具有兩個酐結構者(二酐)。芳香族四羧酸類可單獨使用或併用二種以上。
    就本發明中所使用之芳香族四羧酸類而言，具體可例舉以下者。此等四羧酸二酐可單獨使用或併用二種以上。此等當中，係以含有苯均四酸二酐或聯苯四羧酸二酐之任一種以上達全芳香族四羧酸中的70mol%以上為佳：苯均四酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、4,4’-氧基二鄰苯二甲酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯碸四羧酸二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙酸二酐。
    又，亦可使用上述芳香族四羧酸二酐之芳香環上的一部分或全部氫原子由苯基、聯苯基、萘基等取代之芳香族四羧酸二酐等。
    本發明中，特佳係使用組合具有苯均四酸二酐、及聯苯四羧酸二酐骨架之芳香族四羧酸類與具有苯并唑結構之芳香族二胺類、具有4,4’-二胺基二苯醚骨架之芳香族二胺類得到的聚醯亞胺。其原因在於，若使用上述組合之聚醯亞胺，則可從聚醯亞胺積層體獲得彎曲較小的聚醯亞胺薄膜。若將裝置製作於此種聚醯亞胺積層體之聚醯亞胺層的易剝離部分，進行剝離時，便不會觀察到製作於聚醯亞胺薄膜表面之裝置的損壞。
    上述較佳組成中，聯苯四羧酸較佳為全芳香族四羧酸中的1~50mol%，更佳為5~30mol%，最佳為10~20mol%。
    上述較佳組成中，4,4’-二胺基二苯醚較佳處於全芳香族二胺類中的1~60mol%之範圍，更佳為5~30mol%，最佳為10~30mol%。
    使芳香族四羧酸類與芳香族二胺類反應(聚合)而製得聚醯胺酸時所用的溶劑只要是可溶解作為原料的單體及生成的聚醯胺酸之任一種者，則未特別限定，較佳為極性有機溶劑，其可例舉如N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙醯基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、六甲基磷醯胺、乙基賽璐蘇乙酸酯、二乙二醇二甲醚、環丁碸、鹵化酚類等。此等溶劑可單獨或混合使用。溶劑的用量只要是可溶解作為原料的單體的足夠量即可，以具體用量而言，單體在溶有單體之溶液中所佔的重量一般為如5~40重量%，較佳為如10~30重量%的量。
    用以製得聚醯胺酸之聚合反應(以下亦僅稱為「聚合反應」)的條件只要應用以往習知的條件即可，就其具體實例而言，可例舉在有機溶劑中、0~80℃之溫度範圍內，連續進行攪拌及/或混合10分鐘~120小時。亦可視需求將聚合反應分段或提高、降低溫度。此時，兩單體之添加順序並無特殊限制，惟以將芳香族四羧酸酐類添加至芳香族二胺類的溶液中為佳。聚醯胺酸在由聚合反應所得之聚醯胺酸溶液中所佔的重量較佳為5~40重量%，更佳為10~30重量%，前述溶液之黏度係以BROOKFIELD黏度計來測定(20℃)，由處理難易度觀點而言，較佳為1~1000Pa．s，更佳為3~600Pa．s。
    於聚合反應中進行真空消泡對製造品質優良的聚醯胺酸溶液係屬有效。此外，為達本發明之分子末端封端目的，可使用二羧酸酐、三羧酸酐、苯胺衍生物等封端劑。本發明中可較佳使用者為鄰苯二甲酸酐、馬來酸酐、4-乙炔基鄰苯二甲酸酐、4-苯基乙炔基鄰苯二甲酸酐、乙炔基苯胺，更佳使用馬來酸酐。封端劑之用量係每單體成分1莫耳比0.001~1.0莫耳之比例。
    本發明中進一步以提升聚醯亞胺層之性能為目的，亦可對聚醯胺酸溶液添加消泡劑、調平劑、難燃劑、交聯劑、搖變劑、分散劑等添加物。此等添加物視其目的而定係為各式各樣，並未特別限定。此外，對於添加方法、添加時點亦未特別限定。
    本發明中以提升聚醯亞胺層之性能為目的，還可在聚醯胺酸溶液中添加填料。本發明中的填料係指，包含體積平均粒徑為0.001~10μm之無機物的微粒子，可使用包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、滑石、雲母、黏土、其他黏土礦物等的粒子，較佳可使用氧化矽、磷酸鈣、磷酸氫鈣、磷酸二氫鈣、焦磷酸鈣、羥基磷灰石、碳酸鈣、玻璃填料等金屬氧化物、磷酸鹽、碳酸鹽。 (偶合劑)
    本發明中的偶合劑係指，以物理或化學方式存在於無機層與樹脂層之間，而具有提高兩者之接著力之作用的化合物，一般包含矽烷系偶合劑、磷系偶合劑、鈦酸鹽系偶合劑等已知化合物。
    偶合劑層係指經由偶合劑處理形成之主要以偶合劑構成的層。偶合劑層相較於本發明中的無機層、聚醯亞胺層、以及一般的接著劑、黏著劑亦極薄，由機械設計觀點，其厚度為可忽略不計之程度。理論上只要有最低限度、單分子層級之厚度即足夠。厚度較佳為0.1nm~500nm，更佳為0.3nm~250nm，進一步更佳為1nm~100nm，特佳為1nm~50nm，最佳為1nm~20nm。此外，在以儘量減少偶合劑為佳之製程中，亦可為5nm以下。惟，若小於1nm時，會有剝離強度降低、或出現部分未貼附的部分之虞，因此較佳為1nm以上。
    偶合劑層的厚度係可由橢圓偏振法、或塗布時之偶合劑溶液的濃度與塗布量在計算上可求得的值。
    偶合劑並未特別限定，惟較佳為具有胺基或環氧基之矽烷偶合劑。就矽烷偶合劑之較佳具體實例而言，係可例舉N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三氯矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(乙烯基苯甲基)-2-胺基乙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷鹽酸鹽、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、雙(三乙氧基矽烷基丙基)四硫醚、3-異氰酸丙基三乙氧酯矽烷、參-(3-三甲氧基矽烷基丙基)異三聚氰酸酯、氯甲基苯乙基三甲氧基矽烷、氯甲基三甲氧基矽烷等。
    就本發明中可使用之偶合劑而言，除上述以外，還可使用1-巰基-2-丙醇、3-巰基丙酸甲酯、3-巰基-2-丁醇、3-巰基丙酸丁酯、3-(二甲氧基甲基矽基)-1-丙硫醇、4-(6-巰基己醯基)苯甲醇、11-胺基-1-十一烷硫醇、11-巰基十一基磺酸、11-巰基十一基三氟乙酸、2,2’-(乙烯二氧基)二乙硫醇、11-巰基十一基三(乙二醇)、(1-巰基十一-11-基)四(乙二醇)、1-(甲基羧基)十一-11-基)六(乙二醇)、羥基十一基二硫化物、羧基十一基二硫化物、羥基十六基二硫化物、羧基十六基二硫化物、四(2-乙基己基氧基)鈦、鈦二辛氧基雙(辛烯乙二醇酯)、鋯三丁氧基單乙醯基丙酮酸酯、鋯單丁氧基乙醯基丙酮酸酯雙(乙基乙醯乙酸酯)、鋯三丁氧基單硬脂酸酯、乙醯烷氧基鋁二異丙酸酯、正丙基三甲氧基矽烷、丁基三氯矽烷、2-氰基乙基三乙氧基矽烷、環己基三氯矽烷、癸基三氯矽烷、二乙醯氧基二甲基矽烷、二乙氧基二甲基矽烷、二甲氧基二甲基矽烷、二甲氧基二苯基矽烷、二甲氧基甲基苯基矽烷、十二基三氯矽烷、十二基三甲氧基矽烷、乙基三氯矽烷、己基三甲氧基矽烷、十八基三乙氧基矽烷、十八基三甲氧基矽烷、正辛基三氯矽烷、正辛基三乙氧基矽烷、正辛基三甲氧基矽烷、三乙氧基乙基矽烷、三乙氧基甲基矽烷、三甲氧基甲基矽烷、三甲氧基苯基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、戊基三氯矽烷、三乙醯氧基甲基矽烷、三氯己基矽烷、三氯甲基矽烷、三氯十八基矽烷、三氯丙基矽烷、三氯十四基矽烷、三甲氧基丙基矽烷、烯丙基三氯矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、三氯乙烯基矽烷、三乙氧基乙烯基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、三氯-2-氰基乙基矽烷、二乙氧基(3-縮水甘油氧基丙基)甲基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基(二甲氧基)甲基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、2,3-丁二硫醇、1-丁硫醇、2-丁硫醇、環己硫醇、環戊硫醇、1-癸硫醇、1-十二硫醇、3-巰基丙酸-2-乙基己酯、3-巰基丙酸乙酯、1-庚硫醇、1-十六硫醇、己硫醇、異戊硫醇、異丁硫醇、3-巰基丙酸、3-巰基丙酸-3-甲氧基丁酯、2-甲基-1-丁硫醇、1-十八硫醇、1-辛硫醇、1-十五硫醇、1-戊硫醇、1-丙硫醇、1-十四硫醇、1-十一硫醇、1-(12-巰基十二基)咪唑、1-(11-巰基十一基)咪唑、1-(10-巰基癸基)咪唑、1-(16-巰基十六基)咪唑、1-(17-巰基十五基)咪唑、1-(15-巰基)十二酸、1-(11-巰基)十一酸、1-(10-巰基)癸酸等。
    其中較佳者可列舉N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、胺苯基三甲氧基矽烷、胺苯乙基三甲氧基矽烷、胺苯基胺甲基苯乙基三甲氧基矽烷等。於製程中要求高耐熱性時，則以矽與胺基之間由芳香族連結者為佳。 (偶合劑處理)
    本發明中的偶合劑處理係指使偶合劑存在於無機層表面之處理，就實施偶合劑處理來形成偶合處理層之方法而言，可採用將偶合劑直接或以溶劑等稀釋後，塗布於無機層並乾燥、實施熱處理之方法、將無機層浸漬於偶合劑本身或經溶劑等稀釋之溶液中後加以乾燥、實施熱處理之方法、添加至樹脂溶液或熔融樹脂中，與樹脂薄膜製作同時實施偶合劑處理之方法等。
    就偶合劑或其稀釋液之塗布方法而言，只要採用以往習知之方法即可。又可採用例如，如凸版材料凹版材料等印刷用版材之轉印媒體、或使偶合劑或其稀釋液附著於「印模」並將其轉印後，以旋轉塗布機使之擴散於整面之方法、以噴墨法整面印刷偶合劑或其稀釋液之方法、利用其他既有印刷手法之方法。適當設定偶合劑的塗布量(附著量或含量)，使形成之偶合處理層的膜厚達後述厚度即可。熱處理時之條件以較佳為50~250℃，更佳為75~165℃，進一步更佳為95~155℃左右之溫度，並加熱較佳30秒以上，更佳2分鐘以上，進一步更佳5分鐘以上即可。加熱溫度若過高，偶有發生偶合劑的分解或鈍化，若過低則其未充分固定。又加熱時間過長，有時亦會發生同樣的問題；加熱時間之上限較佳為5小時，更佳為2小時左右。此外，已知進行偶合劑處理之際，處理中的pH會對性能造成大幅度影響，因此以適當調整pH為佳。 (圖案化處理)
    本發明中的圖案化處理係指在偶合劑處理層表面，形成無機層與聚醯亞胺層的接著強度相異、表面粗糙度大致相同之良好接著部分與易剝離部分的處理。
    就圖案化處理之一例而言，在由偶合劑處理形成之數nm至數10nm厚的極薄偶合處理層中，以所期望的圖案形成接著剝離強度高之良好接著部分、與接著剝離強度低之易剝離部分之如此兩區域。較佳為該良好接著部分與易剝離部分的表面粗糙度大致相同。
    就圖案化處理之手段而言，較佳藉由實施偶合劑處理形成偶合處理層後，接著對偶合處理層的一部分實施鈍化處理或活化處理而形成圖案來進行。依此，便可計畫性地製作出支持體與樹脂層之間的剝離強度(接著剝離強度)較強的部分與較弱的部分。本發明中，更佳為對偶合處理層的一部分實施鈍化處理。此外，「對偶合處理層實施鈍化處理」係包含：以物理方式部分去除偶合處理層(所謂進行蝕刻)；以物理方式將偶合處理層微觀上遮蔽；以化學方式將偶合處理層改性。
    另外，「表面粗糙度大致相同」係指，良好接著部分的平均表面粗糙度(Ra1)與易剝離部分處的平均表面粗糙度(Ra2)之測定值滿足下式(1)：| Ra1-Ra2 |÷Ra1×100≦50 (1)
    就對偶合劑處理層的一部分選擇性實施鈍化處理而形成既定圖案之手段而言，可將對應既定圖案的部分以遮罩暫時被覆或遮蔽後對整面實施蝕刻等，其後取下遮罩；若可能，亦能以直寫(direct write)方式對應既定圖案來進行蝕刻等。就遮罩而言，一般可對應蝕刻方法適當選擇用作光阻、光罩、金屬遮罩等之物件來使用。就蝕刻手法而言，可採用使用藥液之濕式蝕刻、使用活性氣體、電漿等之乾式蝕刻任一者。
    圖案形狀只要依據待積層之裝置的種類等來適當設定即可，並未特別限定。如列舉一例，係如第3圖所示，可舉出如第3圖之(1)所示，僅積層體外周部配置有良好接著部分10，積層體內部配置有易剝離部分20之圖案、或如第3圖之(2)所示，積層體外周部與內部皆以線狀配置有良好接著部分10之圖案。
    就前述鈍化處理而言，可使用選自包含鼓風處理、真空電漿處理、大氣壓電漿處理、電暈處理、活性放射線照射處理、活性氣體處理、藥液處理之群組中的至少一種以上之處理。
    前述鼓風處理係指，連同氣體或液體對對象物吹送平均粒徑為0.1~1000μm之粒子之處理。本發明中，較佳使用採用可能範圍內平均粒徑較小之粒子之鼓風處理。
    前述真空電漿處理係指，將對象物暴露於經減壓之氣體中的放電所產生的電漿中、或使相同放電所生成的離子與對象物碰撞之處理。就氣體而言，可採用氖、氬、氮、氧、氟化碳、二氧化碳、氫等之單者、或混合氣體。
    前述大氣壓電漿處理係指，將對象物暴露在置於近似大氣壓氣體環境下之氣體中產生的放電所生成的電漿中、或使相同放電所生成的離子與對象物碰撞之處理。就氣體而言，可採用氖、氬、氮、氧、二氧化碳、氫等之單者或混合氣體。
    前述電暈處理係指，將對象物暴露在置於近似大氣壓氣體環境下之氣體中所生成的電暈放電氣體環境、或使相同放電所生成的離子與對象物碰撞之處理。
    前述活性放射線照射處理係指照射電子束、α射線、X射線、β射線、紅外線、可見光線、紫外線等放射線之處理。此外，當進行雷射光照射處理時，特別是以直寫方式進行處理係較為容易。又此時，若為可見光雷射，由於具有遠大於一般可見光線的能量，於本發明中亦可將其視為活性放射線的一種。
    前述活性氣體處理係指，將對象物暴露於氣體，例如鹵素氣體、鹵化氫氣體、臭氧、高濃度氧氣、氨、有機鹼、有機酸等的氣體之處理，其中該氣體係具有可使偶合劑處理層發生化學或物理變化之活性。
    前述藥液處理係指，將對象物暴露於液體，例如鹼溶液、酸溶液、還原劑溶液、氧化劑溶液等液體或溶液之處理，其中該液體係具有可使偶合劑處理層發生化學或物理變化之活性。
    本發明中，特別由生產性觀點言之，此類處理中，可較佳使用組合活性放射線與遮罩之方法、或組合大氣壓電漿處理與遮罩之方法。就活性放射線處理而言，由經濟性、安全性觀點言之較佳為紫外線照射處理，即UV照射處理。
    又，若為UV處理時，在選擇具有UV穿透性者作為無機層的情況下，亦可由無機層之經進行偶合劑處理的面的相反側面，直接描繪或隔著遮罩進行UV照射。由以上所述，本發明中係以經由UV照射來進行鈍化處理為佳，以下將詳細進行說明。
    本發明中的UV照射處理係指，在可產生400nm以下之波長的紫外線(UV光)的裝置中置入經施予偶合劑處理的無機層並照射UV之處理，較佳的是，UV光波長較佳為260nm以下，更佳為200nm以下之波長。若於氧存在的環境下照射所述短波長UV光，便可對試料(偶合處理層)施加UV光能，同時在試料附近產生處於激發狀態的活性氧或臭氧，而能夠更有效進行本發明之鈍化處理。惟，波長若為170nm以下時，氧會明顯吸收UV光，因此需考量到「使UV光到達偶合劑處理層」。在完全無氧的氣體環境下進行照射時，則未能顯現活性氧、臭氧所產生的表面改質(鈍化)效果，因此需設法使UV光通過並使活性氧、臭氧可到達。例如在氮氣體環境中放置UV光源，並照射UV光使其穿透石英玻璃之裝置的設計，便可縮短石英玻璃至偶合處理層間的距離，且除抑制UV光之吸收等設計以外，使氣體環境為氧量經控制者而非為一般大氣而來控制UV光的氧吸收之方法、控制UV光源、偶合處理層間之氣體的流量等，作為控制UV光的穿透與臭氧的產生量之方法亦屬有效。
    UV光之照射強度在利用至少150nm~400nm之波長範圍內具感度峰值的紫外線光量計進行測定時，較佳為5mW/cm2以上，又較佳為200mW/cm2以下以防玻璃變質。UV光之照射時間較佳為0.1分鐘以上30分鐘以下，更佳為0.5分鐘以上，進一步更佳為1分鐘以上，特佳為2分鐘以上，更佳為10分鐘以下，進一步更佳為5分鐘以下，特佳為4分鐘以下。UV光之照射時間若過長，會有生產性降低之虞，反之若過短，則需更高強度之光源，係要求照射時間控制方面之精度而不佳。若換算為積算光量，則較佳為30mJ/cm2~360000mJ/cm2，更佳為300mJ/cm2~120000mJ/cm2，進一步更佳為600mJ/cm2~60000mJ/cm2。
    UV照射處理時的圖案形成係依據計畫性製作照射光的部分、與未照射的部分來進行。就形成圖案之方法而言，可有製作將UV光遮蔽的部分與未遮蔽的部分、或掃描UV光之方法等。為使圖案端部更加明顯，遮斷UV光的同時以遮蔽物被覆偶合劑處理層係屬有效。又，以UV雷射之平行光進行掃描亦屬有效。
    就UV照射處理可使用之光源而言，可例舉如準分子燈、低壓水銀燈、高壓水銀燈、Xe燈、Xe準分子雷射、ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、XeCl準分子雷射、XeF準分子雷射、Ar雷射、D2燈等。其中較佳為準分子燈、低壓水銀燈、Xe準分子雷射、ArF準分子雷射、KrF準分子雷射等。
    如上所述根據經鈍化處理之偶合處理層是否實施有鈍化(蝕刻)，便形成包含屬無機層與薄膜之剝離強度較強的部分的良好接著部分、與屬無機層與樹脂薄膜之剝離強度較弱的部分的易剝離部分之圖案。舉例來說，如後述實施例所例示將γ-胺基丙基三甲氧基矽烷塗布於玻璃時，UV未照射部分係形成剝離強度較強的良好接著部分，而經由UV照射破壞胺基使剝離強度減弱，UV照射部分便形成易剝離部分。其可由此推察：如後述測定例所示，經由UV照射，氮(N)元素之Atomic percent下降，隨後碳(C)亦減少，由此示意胺基、丙基遭破壞。另一方面，當使用如例如正丙基三甲氧基矽烷般無官能基之偶合劑在支持體上形成偶合處理層時，反之未經UV照射的部分係形成易剝離部分，而照射UV光後破壞丙基部分，由此便形成良好接著部分。以玻璃為基板作為支持體在工業上係屬有利，此時經由UV照射使剝離強度降低亦更加實用，惟視用途、使用之基板、所需之剝離強度而定，亦考量使UV光照射部分作為良好接著部分。 (應用)
    就本發明之應用例而言，可設置沿樹脂積層體中之樹脂層或積層體之膜厚方向貫穿的孔部分並設置非樹脂部分。該部分並未特別限定，惟較佳可例舉填充有以Cu、Al、Ag、Au等金屬為主成分之金屬者、由機械式鑽孔器或雷射開孔器形成之空孔、及空孔的壁面上由濺鍍、無電鍍種晶層形成等而形成有金屬膜者。
    以下例示使用聚醯亞胺系樹脂之情況。 (聚醯亞胺層之製造方法)
    聚醯亞胺層係藉由在經施予圖案化處理的偶合劑處理面上塗布聚醯胺酸溶液，乾燥後經由加熱或化學處理進行醯亞胺化形成聚醯亞胺層來獲得。又，若為溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂時，亦可藉由在經施予圖案化處理的偶合劑處理面上塗布聚醯亞胺樹脂溶液，乾燥後形成聚醯亞胺層來獲得。又，亦可使用由部分未完成醯亞胺化之聚醯胺酸溶液與溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂的混合狀態起進行乾燥與部分醯亞胺化等的中間原料來形成聚醯亞胺層。
    聚醯胺酸溶液或聚醯亞胺樹脂溶液的塗布可透過例如旋轉塗布、刮刀塗布(doctor blade)、塗布器(applicator)、點觸式塗布機(Comma coater)、網版印刷法、附狹縫噴嘴產生之流延、利用擠製機之擠製、狹縫塗布、反向塗布(reverse coating)、浸漬塗布等手段來進行，惟非限於此等，得適當採用以往週知之溶液塗布手段。
    將由前述塗布手段所塗布之聚醯胺酸溶液乾燥時的加熱溫度較佳為50℃~120℃，更佳為80℃~100℃。處理時間較佳為5分鐘~3小時，更佳為15分鐘~2小時。乾燥後之殘餘溶劑量較佳為25%~50%，更佳為35%~45%。
    將乾燥後之聚醯胺酸加熱來製作聚醯亞胺層時的加熱溫度較佳為150~500℃，更佳為300~450℃。加熱時間較佳為0.05~10小時。加熱處理通常係與分段或連續升溫同時進行。升溫速度較佳為20℃/分鐘以下，更佳為10℃/分鐘以下，特佳為5℃/分鐘以下。又升溫速度最佳為0.5℃/分鐘以上。
    一面連續升溫一面進行利用加熱的醯亞胺化時，較佳為由100℃起以升溫速度0.5℃~20℃/分鐘連續升溫至最高到達溫度150℃~500℃，並保持於最高到達溫度0.1分鐘~120分鐘之條件。更佳為，升溫速度為1℃~10℃/分鐘、最高到達溫度為300℃~480℃、最高到達溫度下的保持時間為1~60分鐘，最佳為，升溫速度為2℃~5℃/分鐘、最高到達溫度400℃~450℃、最高到達溫度下的保持時間為5~30分鐘。此外，此處方便上係分作乾燥步驟與醯亞胺化步驟來進行說明，惟實際上乾燥與醯亞胺化係同時並行地進行。其係以較低溫之乾燥步驟中乾燥較佔優勢，較高溫之醯亞胺化步驟中醯亞胺化反應較佔優勢的方式進行。未分作乾燥步驟與醯亞胺化步驟，而以連續熱處理形式進行者在工業生產上為較佳之形態。
    對於利用加熱之乾燥、及醯亞胺化之升溫條件，特佳為進行80℃下30分鐘之乾燥，接著進行100℃下90分鐘之乾燥後，以5℃/分鐘之升溫速度上升至400℃，並保持於400℃下5分鐘。
    本發明中若使用溶劑可溶型聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等作為樹脂層時，塗布樹脂溶液後的乾燥溫度較佳為150~380℃，更佳為185~330℃。加熱時間較佳為0.05~10小時。加熱處理係通常與分段或連續升溫同時進行。升溫速度較佳為20℃/分鐘以下，更佳為10℃/分鐘以下，最佳為5℃/分鐘以下。又升溫速度最佳為0.5℃/分鐘以上。
    此外，本發明中若使用聚醯亞胺系樹脂以外之溶劑可溶型樹脂作為樹脂層時，較佳以未超過所使用之溶劑的沸點+150℃之範圍的溫度，較佳為未超過沸點+120℃之範圍的溫度進行乾燥、熱處理。乾燥時間宜適當選擇，至少使樹脂層之殘餘溶劑量達0.5質量%以下。
    本發明中若使用熱塑性樹脂材料作為樹脂層時，較佳以高於熔點或軟化溫度35℃以上之溫度使樹脂材料熔融，並於熔融狀態下予以塗布於無機基板上，再以低於20℃/分鐘之速度冷卻至室溫。熔融時的溫度若未滿足此範圍，則容易發生塗布不均。並未特別設有熔融溫度之上限，惟較佳為300℃以下、或未超過高於熔點或軟化溫度200℃之溫度。若超出此溫度則樹脂材料明顯劣化，偶有完成製品之機械強度不充分之情況。
    本發明中的聚醯亞胺層之30至300℃之間的平均線膨脹係數較佳為-5ppm/℃~+35ppm/℃，更佳為-5ppm/℃~+20ppm/℃，進一步更佳為-2ppm/℃~+12ppm/℃，特佳為+0ppm/℃~+10ppm/℃，最佳為+1ppm/℃~+8ppm/℃。若偏離此範圍，其與無機基板之線膨脹係數大小的差會增大，在加熱製程中會有聚醯亞胺層與無機層容易剝離之虞。此外，於金屬、陶瓷中該線膨脹係數大多會在溫度範圍內變化，而於聚醯亞胺層中CTE則有時會在溫度範圍內變化。因此，可將測定下限取代為0℃、30℃、50℃等，亦可將測定上限取代為200℃、300℃、400℃。例如，本發明中聚醯亞胺薄膜的線膨脹係數係使用30℃至300℃之間的平均值，惟視用途所關注之溫度範圍亦改變，若考量到高溫下的製程而探討30℃至400℃之範圍時，亦有100℃至400℃之範圍的情況，若考慮到回流過程而探討50℃至280℃之範圍時，就使用溫度範圍而言，亦可能有重視作為使用溫度範圍之-50℃至150℃之範圍的情況。
    本發明中的聚醯亞胺層之厚度並未特別限定，較佳為0.5μm~50μm，更佳為1μm~40μm，進一步更佳為5μm~30μm，最佳為7~15μm。此等聚醯亞胺層的厚度不均亦較佳為20%以下。若為0.5μm以下，厚度的控制相形困難，而難以由無機層剝離。若為50μm以上，則難以形成聚醯亞胺層，且剝離時容易發生該聚醯亞胺層的彎折等。藉由製成具前述範圍之厚度的聚醯亞胺層，便可極有助於感測器等元件的高性能化或電子零件的輕薄短小化。
    製作聚醯亞胺層之際，亦可使用閉環觸媒。就本發明中所使用之閉環觸媒之具體實例而言，係可舉出安息香酸等芳香族羧酸、三甲胺、三乙胺等脂肪族三級胺、異喹啉、吡啶、β-甲吡啶等雜環三級胺等，較佳使用選自雜環三級胺的至少一種之胺類。閉環觸媒之含量較佳為閉環觸媒之含量(莫耳)/前驅體聚醯胺酸之含量(莫耳)達0.01~10.00之範圍。
    製作聚醯亞胺層之際，亦可使用脫水劑。可例舉如乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐等脂肪族羧酸酐、及安息香酸酐等芳香族羧酸酐等，惟，只要是可有效進行脫水者則未特別限定於此等。脫水劑之含量較佳為脫水劑之含量(莫耳)/聚醯胺酸之含量(莫耳)達0.01~10.00之範圍。 (積層體)
    本發明積層體係無機層與聚醯亞胺層隔著偶合劑處理層積層而成之積層體，其具有前述無機層與前述聚醯亞胺層之間的剝離強度相異之良好接著部分與易剝離部分，該良好接著部分與該易剝離部分係形成既定圖案。藉此，便形成在裝置製作時之高溫製程中亦不會發生剝離，且於聚醯亞胺層上製作裝置後可輕易地由無機層剝離聚醯亞胺層之積層體。本發明積層體可由本發明積層體之製造方法得到，關於無機層、偶合處理層、聚醯亞胺層等之細節係如上所述。
    本發明中的良好接著部分係指根據例如UV光照射的有無使表面性質改變，由此無機層與聚醯亞胺層的剝離強度較強之部分。本發明中的易剝離部分係指根據例如UV光照射的有無使表面性質改變，由此無機層與聚醯亞胺層的剝離強度較弱之部分。
    本發明中，無機層與聚醯亞胺層之間的180度剝離強度只要依據積層於其上之裝置的種類、製程來適當設定即可，並未特別限制，至少前述易剝離部分的180度剝離強度較佳為良好接著部分的180度剝離強度的50%以下，更佳為30%以下，特佳為20%以下。一般而言，良好接著部分的180度剝離強度較佳為0.60N/cm以上，更佳為1.0N/cm以上，進一步更佳為2.0N/cm以上，特佳為3.0N/cm以上，上限值並未特別限定，係8N/cm以下左右。前述易剝離部分的180度剝離強度只要滿足相對前述良好接著部分之比例即可，較佳為1.5N/cm以下，更佳為1.0N/cm以下，進一步更佳為0.50N/cm以下，特佳為0.40N/cm以下，最佳為0.2N/cm以下。又下限值較佳為0.01N/cm以上。
    於此，易剝離部分的180度剝離強度之下限係進一步考量聚醯亞胺層之彎曲能所設之值。本發明中的180度剝離強度可於實施例由後述方法來測定。
    本發明積層體中，無機層與聚醯亞胺層之間並未如傳統般存在接著劑層等，所存在者僅為例如含有來自偶合劑的Si多達10質量%以上者。且，由於屬無機層與聚醯亞胺層之中間層的偶合處理層極薄，加熱中的除氣成分較少，可獲得於濕式製程中亦不易溶出，縱然發生溶出亦僅止於微量之效果。又偶合處理層一般上其具耐熱性的氧化矽成分較多，可得到400℃左右之溫度下的耐熱性。 (裝置構造體之製造方法)
    本發明裝置構造體之製造方法係供製造使用具有支持體與聚醯亞胺薄膜之本發明積層體，在作為基材之聚醯亞胺薄膜上形成裝置而成的構造體之方法。
    本發明裝置構造體之製造方法中，係於本發明積層體之聚醯亞胺薄膜上形成裝置後，將前述積層體的易剝離部分的聚醯亞胺薄膜劃出切口，以將該聚醯亞胺薄膜由前述支持體剝離。
    就將前述積層體的易剝離部分的聚醯亞胺薄膜劃出切口之方法而言，係有以刀具等切割工具切割聚醯亞胺薄膜之方法、對雷射與該積層體相對進行掃描藉以切割聚醯亞胺薄膜之方法、對水刀(water jet)與該積層體相對進行掃描藉以切割聚醯亞胺薄膜之方法、利用半導體晶片之切割裝置些許切入至玻璃層同時切割聚醯亞胺薄膜之方法等，方法並未特別限定。例如採用上述方法之際，亦可適當採用對切削具疊加超音波、或附加來回動作或上下動作等來提高切削性能等之手法。
    在將前述積層體的易剝離部分的聚醯亞胺層劃出切口時，劃出切口的位置只要是包含至少易剝離部分的一部分即可，基本上，一般係按照圖案來切割。惟，欲正確地按照圖案而在良好接著部分與易剝離部分的邊界進行切割時，仍會產生誤差，因此由提高生產性觀點言之，係以在較圖案更些許靠近易剝離部分側切入為佳。又，為防止予以剝離前隨意發生剝離，亦可為在較該圖案更些許靠近良好接著部分處切入之生產方式。更者，只要將良好接著部分的寬度設得更小，便可減少剝離時殘留於良好接著部分的聚醯亞胺層，利用效率得以提升，且相對該積層體面積的裝置面積增加，而能夠提高生產性。更且，預先在積層體之外周部的一部分設置易剝離部分，並以該外周部為切割位置，於實際上未劃出切口之下予以剝離之方式亦可為本發明的極端形式之一。
    本發明中係僅將積層體之聚醯亞胺薄膜劃出切口而予以剝離，故積層體之無機層部分可再利用。
    就將聚醯亞胺層由支持體剝離之方法而言並未特別限制，可採用以鑷子等由端部捲起之方法、在附有裝置之聚醯亞胺層的切口部分的一邊黏貼黏著膠帶後由該膠帶部分捲起之方法、將附有裝置之聚醯亞胺層的切口部分的一邊真空吸附後由該部分捲起之方法等。此外，當剝離之際，若附有裝置之聚醯亞胺層的切口部分處生成曲率小的彎曲，該部分之裝置便施加有應力而有裝置遭破壞之虞，因此以儘量在曲率大的狀態下剝離為佳。例如較佳為，一面捲繞成曲率大的捲狀體一面予以捲起、或使用如曲率大的捲狀體位於剝離部分之構造的機械來捲起。
    此外，本發明裝置構造體(附有裝置之聚醯亞胺薄膜)可於製成最終製品前預先固定有補強構件。
    此時，可於由無機層剝離後固定補強構件，較佳為，固定補強構件後將聚醯亞胺薄膜劃出切口而予以由支持體剝離、或將聚醯亞胺薄膜劃出切口後將補強構件固定於該切口部分，其後再予以剝離。就補強構件而言，可例示另外接著或黏著附有黏著劑之高分子薄膜之方法等。附有黏著劑之高分子薄膜係可例舉如PET薄膜，由於係處於既已通過需要高溫的製程之後，比起該聚醯亞胺薄膜，耐熱性之限制較少，故可選擇各種高分子薄膜。又舉例而言，可僅於本發明積層體的易剝離部分預先黏貼附有黏著劑之PET薄膜作為補強構件，並在黏貼有該附有黏著劑之PET薄膜的狀態下將易剝離部分劃出切口而將附有裝置之聚醯亞胺層剝離，亦可於本發明積層體整體預先黏貼附有黏著劑之PET薄膜作為補強構件，並將該積層體的易剝離部分劃出切口而在黏貼有附有黏著劑之PET薄膜的狀態下將附有裝置之聚醯亞胺層剝離。
    於剝離前固定補強構件時，就補強構件而言，除前述高分子薄膜以外還可例示極薄玻璃、SUS等。使用高分子薄膜，便有可保有裝置之輕量性之優點，透明性及各種加工性、不易破損亦為其優點。使用極薄玻璃，可得到氣體障壁性、對藥品之穩定性、透明性為其優點。使用SUS，可電性屏蔽、不易破損則為其優點。
    本發明中，在作為基材之聚醯亞胺層上形成裝置之方法只要依循以往週知之方法來適當進行即可。就本發明中之裝置而言並未特別限制，除例如僅電子電路用配線、電阻之外，還有線圈、電容器等被動裝置、包含半導體元件等之主動裝置、及組合彼等而成之電子電路系統。就半導體元件而言，可例舉太陽電池、薄膜電晶體、MEMS元件、感測器、邏輯閘等。就前述邏輯閘而言，亦包含基於NAND、OR之邏輯閘及根據時脈而取得同步者。
    舉例而言，使用本發明積層體之薄膜狀太陽電池係以本發明積層體之聚醯亞胺層為基材，並於該基材上形成含有包括半導體之光電轉換層的積層體X而成。該積層體X係具有將太陽光能轉換成電能的光電轉換層作為必要結構，一般而言其進一步具有供輸出所得之電能的電極層等。
    以下，對作為以構成薄膜狀太陽電池的方式形成之上述積層體X的典型實例之用一對電極層夾住光電轉換層而成的積層構造進行說明。惟，將光電轉換層以數層積層所得之結構等，只要係以PVD、CVD製作者，亦可謂本發明之太陽電池。積層體X之積層構造當然並未限定於以下所記載之形態，可適當參照習知技術之太陽電池所具有的積層體結構，亦可附加保護層、習知輔助手段。
    前述一對電極層中的一電極層(以下又記為「背面電極層」)係較佳形成於薄膜基材的一主面上。背面電極層可採用傳統習知方法，例如CVD(化學氣相沉積)法、濺鍍法將導電性無機材料積層來製得。就導電性無機材料而言可例舉Al、Au、Ag、Cu、Ni、不鏽鋼等金屬薄膜、In2O3、SnO2、ZnO、Cd2SnO4、ITO(In2O3中添加有Sn者)等氧化物半導體系導電材料等。較佳的是，背面電極層為金屬薄膜。背面電極層的厚度並未特別限定，一般為30~1000nm左右。另外，亦可拉出一部分電極，並採用Ag糊料等未利用真空的膜形成方法。
    將太陽光能轉換成電能的光電轉換層乃為包含半導體的層、或者為包含CuInSe2(CIS)膜、其中固溶有Ga的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)膜(以下亦將兩者合稱為「CIS系膜」)或矽系半導體的層，其中該CuInSe2膜為包含I族元素、III族元素與VI族元素的化合物半導體薄膜(黃銅礦(chalcopyrite)構造半導體薄膜)。矽系半導體可例舉薄膜矽層、無定形矽層、多晶矽層等。光電轉換層亦可為具有包含不同半導體之多層的積層體。且，亦可為使用色素的光電轉換層；更可為使用由導電性聚合物、富勒烯等有機化合物構成之有機薄膜半導體者。
    薄膜矽層乃為由電漿CVD法、熱CVD法、濺鍍法、團簇離子束(cluster ion beam)法、沉積(蒸鍍)法等所得之矽層。
    無定形矽層乃為包含實質上不具有結晶性之矽的層。「實質上不具有結晶性」可由照射X線時無法產生繞射峰來確認。製得無定形矽層之手段已為習知，而此種手段中包含例如電漿CVD法、熱CVD法等。
    多晶矽層乃為包括含矽之微小結晶的集合體的層。其可由照射X線時產生繞射峰而與上述無定形矽層區分。製得多晶矽層之手段既為習知，而此種手段中包含對無定形矽實施熱處理之手段等。
    光電轉換層並不限於矽系半導體層，亦可為例如厚膜半導體層。厚膜半導體層係指由氧化鈦、氧化鋅、碘化銅等的糊料形成之半導體層。
    將半導體材料構成為光電轉換層之手段可適當參照習知方法。舉例而言，可藉由在200~500℃之溫度下、SiH4中添加有膦(PH3)的氣體中進行高頻電漿放電而形成約20nm的a-Si(n層)，接著僅於SiH4氣體中形成約500nm的a-Si(i層)，隨後在SiH4中添加二硼烷(B2H6)來形成約10nm的p-Si(p層)。
    夾住光電轉換層的一對電極層當中，設置於聚醯亞胺薄膜基材之相反側的電極層(以下亦稱為集電電極層)可為使包含導電填料與黏著劑樹脂的導電性糊料固化而成的電極層、或透明電極層。透明電極層可較佳使用In2O3、SnO2、ZnO、Cd2SnO4、ITO(In2O3中添加有Sn者)等氧化物半導體系材料。
    如此，便可獲得作為本發明之較佳形態實例之以透明電極/p型a-Si/i型a-Si/n型a-Si/金屬電極/聚醯亞胺薄膜的順序積層而成的薄膜狀太陽電池。又，亦可製成此構造：以p層為a-Si、n層為多結晶矽，在兩者之間插入薄的未摻雜a-Si層。特別是製成a-Si/多晶矽系的混合(hybrid)型，便可改善對太陽光光譜的感度。在太陽電池的製作中，除上述構造外，還可附加抗反射層、表面保護層等。
    前述薄膜電晶體(TFT)係指構成電晶體之半導體層及構成元件之絕緣膜、電極、保護絕緣膜等將薄膜堆積而製作者。一般係與使用矽晶圓的矽作為半導體層者區分。一般而言，薄膜係以真空沉積等之PVD(物理沉積)、電漿CVD等之CVD(化學沉積)等利用真空的手法來製作。由此，便含有如矽晶圓般非呈單晶者。使用矽時亦包含微晶矽TFT、高溫多晶矽TFT、低溫多晶矽TFT、以及氧化物半導體TFT、有機半導體TFT等。
    前述MEMS元件係指利用MEMS技術所製作之物件，其包含噴墨列印頭、掃描式探針顯微鏡用探針、LSI探針器(prober)用接觸器、無遮罩曝光用光空間調變器(spatial light modulator)、光積體化元件、紅外線感測器、流量感測器、加速度感測器、MEMS陀螺儀感測器(gyrosensor)、RF MEMS開關、體內/體外血壓感測器、以及使用柵光閥(grating light valve)、數位微鏡裝置等之視訊投影機等。
    就感測器而言，係包含應變計(strain gauge)、荷重元、半導體壓力感測器、光感測器、光電元件、光二極體、磁性感測器、接觸式溫度感測器、電熱調節溫度感測器、電阻測溫體溫感測器、熱電偶溫度感測器、非接觸式溫度感測器、放射溫度計、傳聲器(麥克風)、離子濃度感測器、氣體濃度感測器、位移感測器、電位器、差動變壓位移感測器、旋轉角感測器、線性編碼器、測速發電機(tachogenerator)、旋轉編碼器、光位置感測器(PSD)、超音波測距儀、靜電容量位移計、雷射都卜勒振動速度計、雷射都卜勒流速計、陀螺儀感測器、加速度感測器、地震感測器、一維圖像/線性影像感測器、二維圖像/CCD影像感測器、CMOS影像感測器、液體/漏液感測器(偵漏感測器(leak sensor))、液體檢測感測器(位準(level)感測器)、硬度感測器、電場感測器、電流感測器、電壓感測器、電力感測器、紅外線感測器、放射線感測器、溼度感測器、氣味感測器、流量感測器、傾斜感測器、振動感測器、時間感測器及複合有此等感測器之複合感測器、由以此等感測器所檢測之值並基於任意計算式而輸出其他物理量、感受性值等之感測器等。
    本發明中的積層體之聚醯亞胺層與無機層的良好接著部分的180度剝離強度較佳為1N/cm以上，更佳為2N/cm以上。又易剝離部分的180度剝離強度較佳為良好接著部分的50%以下，更佳為30%以下。此外，作為易剝離部分的180度剝離強度值係為1N/cm以下，較佳為0.5N/cm，更佳為0.05N/cm以下，惟較佳有0.01N/cm以上。接著力過弱時，容易造成膜浮起。
    以上，既已例示將聚醯亞胺系樹脂用於樹脂層之情況作為本發明之具體形態，本發明中樹脂層並非限定於聚醯亞胺，可使用先前所述之各種樹脂而應用之。
    對以上詳述之本發明積層體之製造方法及本發明裝置構造體之製造方法，利用圖式說明其各一實施形態，則如第1圖、第2圖所示。
    第1圖係表示本發明積層體之製造方法之一實施形態的示意圖，(1)表示玻璃基板1，(2)表示在玻璃基板1上塗布偶合劑並加以乾燥後形成偶合處理層2之階段，(3)表示設置UV光遮罩3後照射UV光之階段，(4)表示照射UV光後，移除UV光遮罩3之階段。此處，偶合處理層2當中，UV曝光部分係形成UV照射部分5，剩餘部分則形成UV未照射部分4。(5)表示黏貼聚醯亞胺薄膜6之階段，(6)表示將UV照射部分上之聚醯亞胺薄膜7劃出切口而由玻璃基板1予以剝離之階段。
    第2圖係表示本發明裝置構造體之製造方法之一實施形態的示意圖，(1)表示玻璃基板1，(2)表示在玻璃基板1上塗布偶合劑並加以乾燥後形成偶合處理層2之階段，(3)表示設置UV光遮罩3後照射UV光之階段，(4)表示照射UV光後，移除UV光遮罩3之階段。此處，偶合處理層2當中，UV曝光部分係形成UV照射部分5，剩餘部分則形成UV未照射部分4。(5)表示黏貼聚醯亞胺薄膜6，其後在UV照射部分上之聚醯亞胺薄膜7表面製作裝置8之階段，(6)表示將UV照射部分上之聚醯亞胺薄膜7劃出切口而由玻璃基板1予以剝離之階段。 [實施例]
    以下示出實施例及比較例對本發明更具體地進行說明，惟本發明並未受以下實施例所限定。此外，以下實施例中的物性的評定方法如下： 1.聚醯胺酸或聚醯亞胺的還原黏度(ηsp/C)
    在N-甲基-2-吡咯啶酮(或N,N-二甲基乙醯胺)中溶有聚合物濃度為0.2g/dl的溶液以烏氏黏度管(Ubbelohde viscometers capillary)，於30℃下進行測定。(若調製聚醯胺酸溶液時所使用的溶劑為N,N-二甲基乙醯胺時，則使用N,N-二甲基乙醯胺來溶解聚合物並進行測定。) 2.聚醯胺酸溶液或聚醯亞胺溶液的溶液黏度
    使用E型黏度計(東機產業股份有限公司製RE105U型)，於20℃下進行測定。 3.樹脂層等的厚度
    使用測微計(FINELUFE公司製Millitron1245D)進行測定。 4.樹脂層彎曲測定
    將測定對象之樹脂層切割出20mm×20mm，置於鋁箔上並除去靜電。其後，將薄膜載置於平坦玻璃板上，以尺量測四端距玻璃板之距離並取彼等之平均值作為樹脂層的彎曲。 5. 180度剝離強度 (1)未進行鈍化處理之部分的剝離強度
    對無機層進行既定偶合劑處理，在未進行鈍化處理下形成聚醯亞胺層，依下述方法測定180度剝離強度。 (2)鈍化部分的剝離強度
    對無機層進行既定的偶合劑處理，並進一步進行鈍化處理後形成聚醯亞胺層，依下述方法測定180度剝離強度。
    視需求在經進行既定處理的無機層(一邊為100mm之正方形)上，使用塗布器將聚醯胺酸溶液氣隙調整成聚醯亞胺層的膜厚達25μm，並塗布成無機層端部起10mm左右為空白，利用蒙孚窯在氮氣環境下，保持於80℃下30分鐘，接著以2℃/分鐘升溫至100℃，再保持於100℃下90分鐘以進行乾燥，進一步以5℃/分鐘之升溫速度由100℃升溫至400℃，並於400℃下保持溫度5分鐘使聚醯胺酸溶液醯亞胺化，即製得包含聚醯亞胺層/無機層的積層體而作成試料。於試料之聚醯亞胺層上重合NIKKAN INDUSTRIES製接著劑片SAFW，進一步於其上重合厚達25μm之大型市售聚醯亞胺薄膜，以100℃進行輥壓後，進行160℃ 1小時的衝壓，冷卻至室溫後以兩側隔著SAFW的市售聚醯亞胺薄膜與無機層樹脂層積層體作為市售聚醯亞胺薄膜彎曲180度之一側，並依循JIS C6471之180度剝離法，進行N=5之測定，以平均值作為測定值。
    儀器名稱：島津製作所公司製 Autograph AG-IS
    測定溫度：室溫
    剝離速度：50mm/min
    氣體環境：大氣
    測定樣本寬度：1cm
    此外，於8N/cm附近，由於發生市售聚醯亞胺層與SAFW的界面剝離、或與SAFW之材料破壞形成的混合破壞，僅可推測無機層與聚醯亞胺層的剝離強度高於此值。 6.樹脂層的線膨脹係數(CTE)
    對測定對象之由無機基板剝離樹脂層者，依下述條件測定伸縮率，並測定30℃~45℃、45℃~60℃、…之15℃間隔下的伸縮率/溫度，進行該測定至300℃為止，再算出全部測定值的平均值以作為線膨脹係數(CTE)。
    儀器名稱：MAC Science公司製TMA4000S
    試料長度：20mm
    試料寬度：2mm
    升溫開始溫度：25℃
    升溫結束溫度：400℃
    升溫速度：5℃/min
    氣體環境：氬氣
    初荷重：34.5g/mm2 7.偶合劑處理層厚度
    偶合劑處理層(SC層)厚度係對清洗之矽晶圓上所製作的偶合劑處理層之膜厚，以橢圓偏振(ellipsometry)，使用分光橢圓偏振儀(Photal公司製「FE-5000」)，依下述條件進行測定。此外，當使用玻璃作為支持體時，則使用另外在清洗之矽晶圓上，以與各實施例、比較例同樣的方法塗布偶合劑並予以乾燥而得到的樣本。
    反射角度範圍：45至80°
    波長範圍：250至800nm
    波長解析度：1.25nm
    光點尺寸(spot size，點徑)：1mm
    tanΨ：測定精度±0.01
    cos△：測定精度±0.01
    測定方式：旋轉析光片(rotating analyzer)法
    偏光板(polarizer)角度：45°
    入射角度：70°固定
    析光片：以每11.25°進行0~360°
    波長：250nm~800nm
    以採用非線形最小平方法的擬合來求取膜厚。此時，模型係為Air/薄膜/Si之模型，並依n=C3/λ4+C2/λ2+C1
    k=C6/λ4+C5/λ2+C4之算式求出波長相依性C1~C6。 8.表面組成比測定
    表面組成比測定係利用X射線光電子能譜(ESCA)來進行，測定裝置係使用UVLAC-PHI公司製ESCA5801MC，依下述條件進行。測定之際係首先進行全元素掃描，以確認是否存有其他元素後，進行所存在之元素的細部掃描(narrow scan)並測定存在比例。此外，供測定用之試料係充分進行預備排氣後，載入至測定室內進行測定。測定前並未進行對樣本表面照射離子以削去表面等操作。
    激發X射線：Mg-Kα線
    光電子脫離角度：45°
    分析直徑： 800μm
    通行能(pass energy)：29.35eV(細部掃描)、187.75eV(全元素掃描)
    步驟：0.125eV(細部掃描)、1.6eV(全元素掃描)
    分析元素：C、O、N、Si、全元素
    真空度：1×10-8Torr以下 9.無機層表面的表面粗糙度Ra
    無機層表面(偶合處理層表面)的表面粗糙度Ra(表面形態)的量測係使用附表面物性評定功能之掃描探針顯微鏡(SII NanoTechnology股份有限公司製「SPA300/nanonavi」)來進行。量測係以DFM模式進行，懸臂係使用SII NanoTechnology股份有限公司製「DF3」或「DF20」，掃描器係使用SII NanoTechnology股份有限公司製「FS-20A」，掃描範圍為10μm見方，測定解析度為512×512像素。對量測影像以裝置所附之軟體進行二次傾斜校正後，當包含伴隨測定所產生之雜訊時，則適當使用其他的平坦化處理(例如平坦(flat)處理)，再以裝置所附之軟體算出Ra值。對任意三處進行量測求出Ra值，並採用該等之平均值。 [合成例1]
    在備有氮氣導入管、溫度計、攪拌棒的反應容器內進行氮氣置換後，導入574質量份之5-胺基-2-(對胺基苯基)苯并唑(DAMBO)、9900質量份之N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)，使其完全溶解後，導入501質量份之苯均四酸二酐(PMDA)、50質量份之作為封端劑之馬來酸酐(MA)，以25℃之反應溫度攪拌96小時，即得黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液A。聚醯胺酸溶液之特性係示於表1。 [合成例2]
    按照與合成例1同樣的程序，導入493質量份之4,4’-氧基二苯胺(ODA)、9000質量份之NMP、483質量份之PMDA、48質量份之MA並攪拌120小時，即得黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液B。 [合成例3]
    按照與合成例1同樣的程序，導入268質量份之對苯二胺(PDA)、8550質量份之NMP、659質量份之3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、48.6質量份之MA並攪拌120小時，即得黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液C。聚醯胺酸溶液之特性係示於表1。 [合成例4]
    按照與合成例1同樣的程序，導入133質量份之對苯二胺(PDA)、246質量份之4,4’-氧基二苯胺(ODA)、8550質量份之NMP、483質量份之PMDA、48質量份之MA並攪拌120小時，即得黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液D。 [合成例5] (含有環氧基之烷氧基矽烷部分縮合物的製造)
    在備有攪拌機、分水器、溫度計及氮氣體導入管的反應裝置中裝入200質量份之去水甘油及1280質量份之四甲氧基矽烷部分縮合物(多摩化學(股)製，四甲氧基矽烷(methyl silicate)51，Si平均個數4)，一面於氮氣流下攪拌一面升溫至90℃後，添加0.3質量份之作為觸媒之二月桂酸二丁基錫使其反應。於反應中，在使用分水器將生成的約90g甲醇蒸餾去除的時間點予以冷卻。隨後，以13kPa、約10分鐘將系統內殘餘的約10g甲醇減壓去除，即得含有環氧基之烷氧基矽烷部分縮合物。 (矽烷改性聚醯胺酸樹脂組成物的製造)
    將900質量份之合成例4之聚醯胺酸升溫至80℃，添加26質量份之含有環氧基之烷氧基矽烷部分縮合物與0.15質量份之作為觸媒之2-甲基咪唑，以80℃、4小時使之反應。冷卻至室溫，得矽烷改性聚醯胺酸溶液E。裝入時之(含有環氧基之烷氧基矽烷部分縮合物(2)之環氧基當量)/(使用於聚醯胺酸之四羧酸類之羧酸基當量)=0.07。 [合成例6]
    於乾燥氮氣體環境中，將333質量份之3,6-二苯基-苯均四酸酐(DPPMDA)及489質量份之2,2’-雙(聯苯基)聯苯胺(BPBz)、10質量份之作為封端劑之馬來酸酐(MA)溶於間甲酚，製成4質量%之溶液。將其於室溫下攪拌2小時後，添加異喹啉作為觸媒，於氮氣流、200℃下攪拌30分鐘，製成聚醯亞胺溶液。使聚醯亞胺溶液在2-丙醇中再沉澱，得黃色粉狀聚合物。將所得之聚合物以2-丙醇清洗，乾燥後予以加熱溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮，即得樹脂濃度10質量%之聚醯亞胺溶液F。 [合成例7]
    在備有氮氣導入管、溫度計、攪拌棒的反應容器內進行氮氣置換後，導入8mL之N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)與γ-丁內酯之50：50體積比例的混合溶液，並將0.888g(2.55mmol)之雙(4-胺基苯基)對苯二甲酸酯(BAPT)完全溶解後，混合0.500g(2.55mmol)之1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐(CBDA)並攪拌，結果數分鐘內即劇烈增黏，因此以4ml之上述混合溶劑稀釋之並進一步攪拌1小時，即得透明、黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液G。該樹脂濃度為10wt%、溶液黏度為57Pa．s、還原黏度為1.8dL/g。 [合成例8]
    在備有氮氣導入管、溫度計、攪拌棒的反應容器內進行氮氣置換後，將5mmol(1.6012g)之2,2’-雙(三氟甲基)聯苯胺溶解於15mL之經分子篩4A充分脫水的N,N-二甲基乙醯胺後，緩緩添加至5mmol(1.1208g)之1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐粉末。於室溫下攪拌48小時，即得透明、淡黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液H。該樹脂濃度為15wt%、溶液黏度為52Pa．s、還原黏度為1.73dL/g。 [合成例9]
    在備有氮氣導入管、溫度計、攪拌棒的反應容器內進行氮氣置換後，添加411質量份之2,2’-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)、750質量份之N-甲基-2-吡咯啶酮、5.08質量份之三乙胺並攪拌，製成溶液。
    對其添加202質量份之1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐(HPMDA)、21.8質量份之苯均四酸二酐、204質量份之NMP後，用加熱包(mantle heater)以30分鐘加熱至200℃除去蒸餾去除物，同時保持於200℃ 5小時。
    添加1440質量份之N,N-二甲基乙醯胺後，於130℃下攪拌30分鐘而製成均勻溶液後，空氣冷卻至100℃，即得聚醯亞胺溶液I。該溶液之樹脂濃度為20wt%、溶液黏度為200Pa．s、還原黏度為1.11dL/g。 (聚醯胺酸溶液)
    (聚醯胺酸溶液、聚醯亞胺溶液)
    [合成例10]
    在備有氮氣導入管、溫度計、攪拌棒的反應容器內進行氮氣置換後，導入574質量份之5-胺基-2-(對胺基苯基)苯并唑(DAMBO)、9900質量份之N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)，使其完全溶解後，導入501質量份之苯均四酸二酐(PMDA)、25質量份之作為封端劑之馬來酸酐(MA)，以25℃之反應溫度攪拌96小時，即得黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液a。聚醯胺酸溶液之特性係示於表3。 [合成例11]
    按照與合成例10同樣的程序，導入268質量份之對苯二胺(PDA)、8550質量份之NMP、657質量份之聯苯四羧酸二酐(BPDA)、25質量份之MA並攪拌120小時，即得黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液b。聚醯胺酸溶液之特性係示於表3。 [合成例12]
    按照與合成例10同樣的程序，導入493質量份之4,4’-氧基二苯胺(ODA)、9000質量份之NMP、483質量份之PMDA、24質量份之MA，即得黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液c。聚醯胺酸溶液之特性係示於表3。 [合成例13]
    按照與合成例10同樣的程序，導入537質量份之DAMBO、84質量份之ODA、10800質量份之NMP、580質量份之PMDA、28質量份之MA，即得黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液d。聚醯胺酸溶液之特性係示於表4。 [合成例14]
    按照與製造例1同樣的程序，導入418質量份之DAMBO、66質量份之ODA、9000質量份之NMP、401質量份之PMDA、95質量份之BPDA、21質量份之MA，即得黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液e。聚醯胺酸溶液之特性係示於表4。 [合成例15]
    按照與製造例1同樣的程序，導入155質量份之作為二胺之DAMBO、322質量份之ODA、8550質量份之NMP、451質量份之PMDA、22.5質量份之MA，即得黃色、黏稠的聚醯胺酸溶液f。聚醯胺酸溶液之特性係示於表4。
    [無機層處理例1]
    於手套箱內進行氮氣置換後，將偶合劑(3-胺基丙基三甲氧基矽烷；3-APS)在N2流通的手套箱內以異丙醇稀釋成0.5wt%而製成偶合劑稀釋液後，另外對作為無機層之8吋矽晶圓(直徑20cm，0.725mm厚)用純水進行超音波清洗5分鐘、用乙醇進行超音波清洗5分鐘、用純水進行超音波清洗5分鐘後乾燥之，予以設置於旋轉塗布機上，倒下異丙醇並以1000rpm進行液體的甩落及乾燥，接著將該偶合劑稀釋液向旋轉中央部滴下，花費15秒旋轉至3000rpm，其後以3000rpm旋轉15秒，再花費15秒停止旋轉而將整面濡溼後，使其成乾燥狀態。將其置於加熱至100℃的加熱板上1分鐘，使其與無機層反應即得處理完成之無機層1，其中該加熱板係置於無塵實驗台上。結果係示於表5。此外，偶合劑層之膜厚係依上述方法，利用橢圓偏振儀來算出。偶合劑層之膜厚為11nm。 [無機層處理例2]
    除偶合劑採用3-APS、無機層採用玻璃(CORNING EAGLE XG 100mm×100mm 0.7mm厚)以外，係以與處理例1完全相同的方式製得處理完成之無機層2。結果係示於表5。 [無機層處理例3]
    除偶合劑採用正丙基三甲氧基矽烷(n-PS)、無機層採用玻璃(CORNING EAGLE XG 100mm×100mm 0.7mm厚)以外，係以與處理例1完全同樣的方式製得處理完成之無機層3。結果係示於表5。 (無機層之處理結果)
    實施例1
    以與處理完成之無機層1之矽晶圓接觸的方式放置經挖除一邊為70mm之正方形的SUS板作為遮罩，僅對矽晶圓的中央部照射UV光來進行UV照射處理2分鐘。UV照射處理係使用LAN TECHNICAL SERVICE股份有限公司製UV/O3清洗改質裝置(SKB1102N-01)，以距UV燈(SE-1103G05)3cm左右的距離，於大氣環境、室溫下進行照射。利用254nm處具感度峰值之紫外線光量計進行測定時的UV光之照度為22mW/cm2。前述UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。此後，以塗布器塗布聚醯胺酸溶液A。間隙係以聚醯亞胺層之膜厚達25μm的方式調整。將其置入N2流通的蒙孚窯中，保持於80℃下30分鐘，接著以2℃/分鐘升溫至100℃，再保持於100℃下90分鐘以進行乾燥，以5℃/分鐘之升溫速度由100℃升溫至400℃，並於400℃下保持溫度5分鐘，使聚醯胺酸溶液醯亞胺化即得積層體1。又，將已進行積層體1之聚醯亞胺層中的UV照射的70mm見方部分當中的約略60mm見方以切割器切除並以鑷子予以剝離，由此即可容易地剝除，得聚醯亞胺薄膜1。所得之積層體之評定結果係示於表4。又，UV照射處理後之偶合劑層之膜厚係於2分鐘UV照射處理後，依上述方法，利用橢圓偏振儀來算出。此次係無法測定。 實施例2
    除無機層採用處理完成之無機層2，並調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達10μm以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體2、及聚醯亞胺薄膜2。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表4。 實施例3
    除無機層採用處理完成之無機層3、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達30μm，並以矽晶圓之中心部分的70mm見方為遮罩，對除此之外之部分進行UV照射處理1分鐘以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體3、及聚醯亞胺薄膜3。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.3nm。所得之積層體之評定結果係示於表4。 實施例4
    除無機層採用處理完成之無機層2、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達25μm，並設聚醯胺酸溶液為聚醯胺酸溶液B以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體4、及聚醯亞胺薄膜4。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表4。 實施例5
    除無機層採用處理完成之無機層2、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達25μm，並設聚醯胺酸溶液為聚醯胺酸溶液C以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體5、及聚醯亞胺薄膜5。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表4。 實施例6
    除無機層採用處理完成之無機層2、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達25μm，並設聚醯胺酸溶液為聚醯胺酸溶液D以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體6、及聚醯亞胺薄膜6。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。所得之積層體之評定結果係示於表5。 實施例7
    除無機層採用處理完成之無機層2、聚醯胺酸溶液採用聚醯胺酸溶液E以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體7、及聚醯亞胺薄膜7。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。所得之積層體之評定結果係示於表5。 實施例8
    除無機層採用處理完成之無機層2、聚醯胺酸溶液採用聚醯亞胺溶液F，並將塗布有溶液之無機層置入N2流通的蒙孚窯中，保持於80℃下30分鐘，接著以2℃/分鐘升溫至120℃，保持於120℃下15分鐘，再以5℃/分鐘之升溫速度由120℃升溫至350℃，於350℃下保持溫度1小時使其乾燥來製得積層體以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體7、及聚醯亞胺薄膜7。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表5。 實施例9
    除無機層採用處理完成之無機層2、聚醯胺酸溶液採用聚醯亞胺溶液G、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達25μm，並將塗布有溶液之無機層置入N2流通的蒙孚窯中，保持於80℃下50分鐘，接著以3℃/分鐘之升溫速度由80℃升溫至300℃，於300℃下保持溫度1小時使其乾燥來製得積層體以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體8、及聚醯亞胺薄膜8。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表5。 實施例10
    除無機層採用處理完成之無機層2、聚醯胺酸溶液採用聚醯亞胺溶液H、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達15μm，並將塗布有溶液之無機層置入N2流通的蒙孚窯中，保持於60℃下120分鐘，接著以3℃/分鐘之升溫速度由60℃升溫至330℃，於330℃下保持溫度2.5小時使其乾燥來製得積層體以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體9、及聚醯亞胺薄膜9。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表5。 實施例11
    除無機層採用處理完成之無機層2、聚醯胺酸溶液採用聚醯亞胺溶液I，並將塗布有溶液之無機層置入N2流通的蒙孚窯中，保持於100℃下60分鐘，接著以5℃/分鐘之升溫速度由100℃升溫至200℃，再於200℃下保持溫度300分鐘使其乾燥來製得積層體以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體11、及聚醯亞胺薄膜11。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表6。 實施例12 [無機層處理例4]
    於手套箱內進行氮氣置換後，將偶合劑(3-胺基丙基三甲氧基矽烷；3-APS)在N2流通的手套箱內以異丙醇稀釋成0.8wt%而製成偶合劑稀釋液。將作為無機層之370mm×470mm、厚度3mm之白板玻璃設置於旋轉塗布機上，倒下異丙醇並以1000rpm進行液體的甩落及乾燥，接著將先前得到的偶合劑稀釋液向旋轉中央部滴下，花費15秒旋轉至1800rpm，其後以1800轉保持旋轉30秒，再花費15秒停止旋轉而將整面濡溼後，使其成乾燥狀態。將其置於加熱至100℃的加熱板上1分鐘，使其與無機層反應即得處理完成之無機層4，其中該加熱板係置於無塵實驗台上。由橢圓偏振儀獲得之偶合劑層之厚度為25nm。前述UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm。
    於所得之處理完成之無機層上重疊具有兩處200mm×300mm之開口部的金屬遮罩，以與實施例1所使用之物具有相同發光特性的UV燈進行曝光，使累計照射能量達3000mJ/cm2。
    將25質量份之以雙酚A為雙酚成分之聚碳酸酯樹脂(黏度平均分子量44,000)添加至包含50質量份之1,3-二氧戊環與50質量份之四氫呋喃的混合溶劑，以45℃、8小時加熱攪拌予以溶解，即得透明的溶液組成物。
    將所得之溶液塑性物，於UV照射後之處理完成之無機層上利用塗布器塗布成乾燥厚度達75μm，於50℃下進行乾燥10分鐘，進一步提高溫度至75℃進行乾燥15分鐘，再將溫度設為105℃進行乾燥45分鐘，即得本發明積層體。
    本積層體之UV未照射部分之180度剝離強度為3.4N/cm、UV照射部分之180度剝離強度為0.8N/cm。 實施例13
    與實施例12同樣地進行操作，獲得進行UV照射之處理完成之無機基板。其次將所得之處理完成之無機基板加熱至240℃，於該處，在氮氣環境中將以340℃加熱熔融之聚萘二甲酸乙二酯樹脂擠出成厚度120μm，再以平均3℃/分鐘之冷卻速度予以冷卻至室溫，即得本發明積層體。本積層體之UV未照射部分之180度剝離強度為2.2N/cm、UV照射部分之180度剝離強度為0.4N/cm。 實施例14
    除使用下述三聚氰胺硬化型共聚聚酯樹脂溶液來取代實施例12中之聚碳酸酯樹脂溶液，並將乾燥條件設為75℃下15分鐘、105℃下15分鐘、150℃下30分鐘以外，係與處理基板同樣地進行操作，獲得本發明積層體。 三聚氰胺硬化型共聚聚酯樹脂溶液的調製：
    將共聚聚酯樹脂(商品名「VYLON V-200」，東洋紡製)100質量份、三聚氰胺樹脂(商品名「SUPER BECKAMINE J-820」，Dainippon Ink製)10質量份與甲苯300質量份摻混，於25℃下混合攪拌4小時，即得三聚氰胺硬化型共聚聚酯。
    所得之積層體之UV未照射部分之180度剝離強度為2.7N/cm、UV照射部分之180度剝離強度為0.7N/cm。

    比較例1
    除無機層採用未處理之玻璃(CORNING EAGLE XG 100mm×100mm、0.7mm厚)以外，係以與實施例1完全同樣的方式來製得積層體11、及聚醯亞胺薄膜11。所得之積層體之評定結果係示於表7。 比較例2
    除無機層採用未處理之矽晶圓(直徑20cm，0.725mm厚)以外，係以與實施例1完全同樣的方式來製得積層體12、及聚醯亞胺薄膜12。所得之積層體之評定結果係示於表7。 比較例3
    除未對無機層進行UV照射處理以外，係以與實施例1完全同樣的方式來製得積層體13。所得之積層體之評定結果係示於表7。 比較例4
    除無機層採用處理完成之無機層2，且未對無機層進行UV照射處理以外，係以與實施例1完全同樣的方式來製得積層體14。所得之積層體之評定結果係示於表7。
    比較例5
    除未對無機層進行UV照射處理以外，係以與實施例5完全同樣的方式來製得積層體15。所得之積層體之評定結果係示於表8。 比較例6
    除未對無機層進行UV照射處理以外，係以與實施例6完全同樣的方式來製得積層體16。所得之積層體之評定結果係示於表8。
    實施例15
    除無機層採用處理完成之無機層1、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達25μm，並且聚醯胺酸溶液採用聚醯胺酸溶液a以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體17、及聚醯亞胺薄膜12。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表11。 實施例16
    除無機層採用處理完成之無機層2、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達10μm，並且聚醯胺酸溶液採用聚醯胺酸溶液a以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體18、及聚醯亞胺薄膜13。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表11。 實施例17
    除無機層採用處理完成之無機層3、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達30μm，並且聚醯胺酸溶液採用聚醯胺酸溶液a以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體19、及聚醯亞胺薄膜14。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.3nm。所得之積層體之評定結果係示於表11。 實施例18
    除無機層採用處理完成之無機層2、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達20μm，並且聚醯胺酸溶液採用聚醯胺酸溶液b以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體20、及聚醯亞胺薄膜15。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表11。 實施例19
    除無機層採用處理完成之無機層2、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達15μm，並且聚醯胺酸溶液採用聚醯胺酸溶液d以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體21、及聚醯亞胺薄膜16。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表11。 實施例20
    除無機層採用處理完成之無機層1、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達20μm，並且聚醯胺酸溶液採用聚醯胺酸溶液e以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體22、及聚醯亞胺薄膜17。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表12。 實施例21
    除無機層採用處理完成之無機層2、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達25μm，並且聚醯胺酸溶液採用聚醯胺酸溶液e以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體23、及聚醯亞胺薄膜18。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表12。 實施例22
    除無機層採用處理完成之無機層1、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達25μm，並且聚醯胺酸溶液採用聚醯胺酸溶液c以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體24、及聚醯亞胺薄膜19。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。所得之積層體之評定結果係示於表12。 實施例23
    除無機層採用處理完成之無機層1、調整塗布器之間隙以使聚醯亞胺層之膜厚達25μm，並且聚醯胺酸溶液採用聚醯胺酸溶液f以外，係以與實施例1完全同樣的方式製得積層體25、及聚醯亞胺薄膜20。UV照射處理後之無機層表面(SC層表面)之UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm、UV未照射部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。所得之積層體之評定結果係示於表12。
    比較例7
    除無機層採用未處理之玻璃(CORNING EAGLE XG 100mm×100mm、0.7mm厚)以外，係以與實施例15完全同樣的方式來製得積層體26、及聚醯亞胺薄膜21。所得之積層體之評定結果係示於表13。 比較例8
    除無機層採用未處理之矽晶圓(直徑20cm，0.725mm厚)以外，係以與實施例15完全同樣的方式來製得積層體27、及聚醯亞胺薄膜22。所得之積層體之評定結果係示於表13。 比較例9
    除未對無機層進行UV照射處理以外，係以與實施例15完全同樣的方式來製得積層體28。所得之積層體之評定結果係示於表13。 比較例10
    除無機層採用處理完成之無機層2，且未對無機層進行UV照射處理以外，係以與實施例15完全同樣的方式來製得積層體29。所得之積層體之評定結果係示於表13。
    (測定例1~5)
    使用並準備5片作為無機層(基板)之經切成50mm×50mm(50mm見方)的矽晶圓，對其用純水進行超音波清洗5分鐘、用乙醇進行超音波清洗5分鐘、用純水進行超音波清洗5分鐘後，予以設置於旋轉塗布機上，滴下異丙醇並以1000rpm進行液體的甩落及乾燥，接著與無機層處理例1同樣地塗布矽烷偶合劑之稀釋液後，以110℃之加熱板加熱，形成厚度11mm之偶合劑處理層。其後，對偶合劑處理層的面分別以UV照射時間0sec、10sec、30sec、120sec、1800sec進行照射而製成樣本。此時之表面組成比例係示於表14。
    當矽晶圓上塗布有具官能基之3-胺基丙基三甲氧基矽烷時，未進行UV照射處理的部分係形成良好接著部分，UV照射處理部分則形成易剝離部分(實施例1)。已知進行UV照射處理時會產生臭氧及活性氧；由測定例1~5，若進行UV照射處理，則氮(N)元素之原子百分率下降，接著碳(C)亦減少，由此示意胺基丙基發生分解。茲認為進行具有官能基之偶合劑處理雖可提高接著強度而形成良好接著部，但進行UV照射處理，臭氧、活性氧原子會進行反應而導致胺基丙基分解，無機層與聚醯亞胺層的接著強度降低，可觀察到易剝離性。
    另一方面，當無機層上塗布有如正丙基三甲氧基矽烷般無官能基者時，未進行UV照射處理的部分係形成易剝離部分，進行UV照射處理的部分則形成良好接著部分(實施例3)。由測定例1~5，經由UV照射處理，氧(O)增加，示意丙基部分發生氧化。茲認為聚醯亞胺層對如丙基之烷基的接著強度較低而形成易剝離部分，但經由UV照射處理可由烷基生成醛基、羧基或羧酸基等官能基，UV照射部分便形成良好接著部分。 [應用例1]
    將實施例5及比較例2所得之積層體被覆於具有開口部的不鏽鋼製框，並予以固定於濺鍍裝置內的基板固定器上。基板固定器與無機層係以密接方式固定，使冷媒流通於基板固定器內便可設定薄膜的溫度，積層體之聚醯亞胺層的溫度係設定為2℃。其次對聚醯亞胺表面進行電漿處理。電漿處理條件為氬氣中、頻率13.56MHz、輸出功率200W、氣體壓力1×10-3Torr之條件，處理時的溫度為2℃、處理時間為2分鐘。次之，以頻率13.56MHz、輸出功率450W、氣體壓力3×10-3Torr之條件，使用鎳鉻(鉻10質量%)合金靶材，在氬氣環境下，以DC磁控濺鍍法、1nm/秒的速率形成厚度7nm的鎳鉻合金被膜(基底層)，次之透過將積層體濺鍍面的背面形成與基板固定器之SUS鋼板相接的狀態，以將積層體之聚醯亞胺層的溫度設定為2℃並進行濺鍍；該基板固定器中有控溫成2℃的冷媒流通。以10nm/秒的速度蒸鍍銅而形成厚度0.25μm的銅薄膜。製得來自各薄膜的形成有基底金屬薄膜之積層體。銅及NiCr層的厚度係以X光螢光分析法確認。
    其後，將來自各積層體的形成有基底金屬薄膜之積層體固定於Cu製框上，並使用硫酸銅電鍍浴槽來形成厚銅層。電鍍條件為浸漬於電鍍液(硫酸銅80g/l，硫酸210g/l，HCl，少量光澤劑)中，並流通電流1.5Adm2。由此便形成厚度4μm的厚鍍銅層(厚層)，接著於120℃下實施熱處理乾燥10分鐘，即製得金屬化積層體。
    使用所得之金屬化積層體，塗布Shipley公司製光阻FR-200並乾燥後，以玻璃光罩進行密接曝光，進一步以1.2質量%KOH水溶液進行顯影。次之，在含HCl與過氧化氫之氯化銅的蝕刻生產線上，以40℃、2kgf/cm2的噴射壓力進行蝕刻而形成線/間隙(line/space)=20μm/20μm的線列作為測試圖案後，進行無電鍍錫至0.5μm厚。其後進行125℃、1小時的退火處理。以光學顯微鏡觀察鬆弛、圖案殘留、圖案剝離等並評定來自樹脂層的圖案。
    當使用實施例5之樹脂薄膜積層體時，可獲得無鬆弛、圖案殘留、圖案剝離的良好圖案。此外，將該積層體在經氮氣置換的蒙孚窯內，以升溫速度10℃/min升溫至400℃後保持於400℃下1小時，其後使其自然降溫，亦未發生膨脹、剝離等。
    又，其後由無機層進行剝離，亦未發生圖案剝離等。由此可獲得附有配線圖案之樹脂薄膜。
    當使用比較例2之樹脂薄膜積層體時，可見薄膜剝離、鬆弛、圖案殘留、圖案剝離，並未獲得良好的圖案。 [應用例2]
    製作TFT基板作為屬本發明裝置構造體之一例之顯示裝置(顯示用面板)的製作例。第4圖(a)係表示TFT基板的概略剖面圖、第4圖(b)則表示其俯視圖。
    首先以實施例1中得到的本發明積層體作為基板101，於該積層體之聚醯亞胺層上濺鍍Al(鋁)102成200nm並進行圖案化、蒸鍍，即形成閘極配線匯流排線111、閘極(未圖示)及閘極配線109。於此時間點，各閘極配線109係預先連接至閘極配線匯流排線111，使該閘極配線匯流排線111於陽極氧化時作為電源供給線使用。次之，塗布光阻成3μm，並透過光蝕刻製程去除TFT的部分(區域A)與配線交叉部分(區域B)之光阻。於此狀態下，將基板整體101浸漬於化成液(forming agent，成形劑)(將3%酒石酸溶液以乙二醇稀釋，並添加氨水經調整成PH7.0之液)，對閘極配線匯流排線111施加+72V之電壓30分鐘，由此使區域A、B中的Al當中的70nm轉化為Al2O3，而形成100nm左右的Al2O3膜(陽極形成膜)。去除光阻後，藉由在大氣中、200℃下進行加熱1小時來達成Al2O3膜的漏電流的減少。次之，於該Al2O3膜上，以電漿CVD法對300nm之第一氮化矽104進行製膜，接著對100nm之氫化非晶矽(a-Si)105、200nm之第二氮化矽106進行製膜。此時基板101之溫度係設為380℃。其後，對第二氮化矽106進行圖案化，於TFT之通道上僅作成配線交叉部。其次，堆積摻有2%左右的磷的非晶矽n層107至50nm後，進行圖案化，僅殘留TFT之源極．汲極部分。此時氫化非晶矽(a-Si)105亦同時去除。此後，以濺鍍法堆積100nm之Cr(鉻)與500nm之Al(鋁)形成Cr．Al層108後，進行圖案化，形成信號線110、TFT之汲極、源極電線(未圖示)等。於此，既已去除先前形成之閘極配線匯流排線111，並將各閘極配線109分離。其後，以濺鍍法形成作為透明電極112之100nm之ITO並形成畫素電極、端子等，最後利用電漿CVD堆積氮化矽至1μm左右，並經由光蝕刻製程去除端子部上的氮化矽。
    次之，在聚醯亞胺層的UV照射部分黏貼聚酯薄膜基材之保護薄膜，並在UV照射區域與UV未照射區域的邊界劃出切口，剝離UV照射區域所形成的TFT部分，即得TFT基板。
    又作為屬本發明裝置構造體之一例之顯示裝置(顯示用面板)的製作例，係製作使用有機EL元件之顯示裝置。第10圖係表示使用有機EL元件之顯示裝置之概略剖面圖。
    首先以實施例1中得到的本發明積層體作為基板201，於該積層體之聚醯亞胺層上利用鉬並以濺鍍法形成作為畫素電極之第一電極202後，於該第一電極202上形成發光層203。發光層203係藉由在第一電極202上形成間壁206後，以網版印刷法印刷含有作為發光物質之未經摻雜處理的聚(對苯基乙烯)的有機層而形成。此刻膜乾燥時的最高到達溫度為180℃。次之，於發光層203上濺鍍作為第二電極204之ITO，其後塗布作為保護膜206之氟樹脂層，並與應用例2同樣地在UV照射部分與UV未照射部分的邊界，將聚醯亞胺薄膜劃出切口，再連同聚醯亞胺薄膜將發光部由積層體剝離，即製成使用有機EL元件之顯示裝置(自發光型顯示裝置)。以上製作過程中，施加至基板(積層體)的熱的最高到達溫度為350℃。此時係將基板溫度加熱至350℃。(第5圖)
    對利用上述實施例1之積層體之使用有機EL元件之顯示裝置施加峰間值為60V、1000Hz之交流電壓的結果，係發出鮮明的綠光。
    另外對於利用其他實施例之積層體之使用有機EL元件之顯示裝置，亦分別以與上述同樣的方式製作之，並與上述同樣地施加電壓，結果皆可獲得良好的發光。相對於此，以與上述同樣的方式製作利用各比較例之積層體之使用有機EL元件之顯示裝置，並與上述同樣地施加電壓，結果未獲得充足的發光。可推知其原因在於，因顯示裝置製作過程中施加的熱使溫度起伏，致積層體之聚醯亞胺層於高溫下的平面保持性受損的導電層，特別是透明導電層受到損傷所致。 (實施例24)
    將作為無機層之玻璃板沉浸(CORNING EAGLE XG 650mm×830mm，0.7mm厚)在充滿正丙基三甲氧基矽烷的0.2重量%異丙醇溶液的容器中，在經氮氣置換的空間中以每秒10mm之速度予以提起，同時以氣刀吹送乾燥氮氣來進行除液。接著，將玻璃板置入經乾燥氮氣置換的120℃乾燥烘箱(dry oven)中15分鐘，至此作為矽烷偶合劑處理。此外，以相同塗布條件對矽晶圓實施處理時之由橢圓偏振法所測得的矽烷偶合劑層之厚度為40nm。
    於所得之偶合劑處理玻璃板上重疊68mm×110mm之長方形開口部隔著寬5mm之遮蔽部分排列成陣列狀的不鏽鋼製金屬遮罩，確認金屬遮罩與玻璃板間無間隙後，藉由使用以流量比計為氮95/氧5之混合氣體的大氣壓電漿處理裝置，來進行作為圖案化處理之大氣壓電漿處理。大氣壓電漿處理裝置係具備狹縫狀之橫長形頭部可自動式地在工件上移動之類型之機構，且玻璃板暴露於電漿下的時間約為45秒左右。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。
    次之，利用模具塗布機塗布合成例10中得到的聚醯胺酸溶液a，在乾燥氮氣流通的乾燥烘箱中，於80℃下乾燥30分鐘、於100℃下乾燥90分鐘，接著移至經氮氣置換的惰性熱處理爐，以5℃/分鐘之升溫速度由100℃升溫至200℃，保持30分鐘後以5℃/分鐘升溫至450℃，再保持於450℃ 1分鐘後，以20℃/分鐘冷卻至室溫，即得積層體。積層體之聚醯亞胺層之厚度為21μm。
    在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為2.8N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為0.67N/cm。
    作為在所得之積層板上使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程，係利用既定測試圖案，以反應性濺鍍法積層氧化矽層作為平坦化層兼氣體阻絕層、以濺鍍法積層鉭層作為源極、汲極層，並以CVD法積層非晶質矽層作為障壁金屬層、半導體層，再以400℃實施75分鐘退火處理藉以使矽層微多晶化後，重疊SiN層作為閘極絕緣層、重疊鋁作為閘極層。此外，各層係依照既定測試圖案，以遮蔽或光微影法圖案化；模擬裝置係形成薄膜電晶體陣列。裝置部分係形成為圖案化處理時之金屬遮罩的開口部分。以上製程中，雖暴露於真空環境、高溫下、光微影法所使用之光阻液、顯影液、蝕刻液、剝離液，惟聚醯亞胺層並未由玻璃層剝離，製程適合度良好。
    次之，依照圖案化處理時所使用之金屬遮罩的圖案，於遮罩之遮蔽部分與開口部分的邊界，將聚醯亞胺層劃出切口並將形成有裝置的部分剝離。以剝離而言，用刀具將端部略為剝起即可容易地進行。針對經遮蔽之寬5mm的部分亦同樣嘗試予以剝離，惟難以不破壞聚醯亞胺層而剝離。 (實施例25)
    除將實施例24中的矽烷偶合劑處理改為旋轉塗布法，並進一步以鼓風處理取代大氣壓電漿處理以外係同樣地進行處理，並進行使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程實驗。
    由旋轉塗布機所進行的矽烷偶合劑處理係按照以下程序進行。在JAPANCREATE公司製旋轉塗布機上安裝玻璃板(CORNING EAGLE XG 300mm×300mm，0.7mm厚)，使用正丙基三甲氧基矽烷作為矽烷偶合劑，並使用濃度0.1重量%之異丙醇溶液來對玻璃板進行塗布，次之，將玻璃板置入經乾燥氮氣置換的100℃乾燥烘箱中10分鐘以進行乾燥、熱處理。另外，以同樣塗布條件對矽晶圓實施處理時之由橢圓偏振法所測得的矽烷偶合劑層之厚度為40nm。
    鼓風處理係利用MACOHO公司之小型濕式鼓風處理機，介質係使用水，研磨材則使用# 2000之氧化矽粒子。鼓風係隔著遮罩進行，鼓風結束後用超純水沖洗玻璃板，以乾燥空氣乾燥，並進入下一步驟，即利用模具塗布機進行之聚醯胺酸溶液的塗布步驟。處理後，塗布步驟前之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。
    結果，在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為3.3N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為1.23N/cm。製程通過性無問題、弱接著部之剝離性亦良好。 (實施例26)
    除將實施例24中的矽烷偶合劑處理改為實施例25所示之旋轉塗布法、將聚醯胺酸溶液改為合成例11中得到的聚醯胺酸溶液b，並以真空電漿處理取代大氣壓電漿處理以外係同樣地進行處理，並進行使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程實驗。
    真空電漿處理係利用單片玻璃用之裝置，於玻璃之矽烷偶合劑處理面上重疊金屬遮罩並予以設置於裝置上，對真空室內部進行真空排氣至1×10-3Pa以下，將氬氣導入真空室內部，並以放電功率100W、頻率15kHz之條件，對玻璃板表面進行氬氣電漿處理20秒。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。此後，進入下一步驟，即利用模具塗布機進行之聚醯胺酸溶液的塗布步驟，並通過既定製程。結果，在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為3.1N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為0.91N/cm。製程通過性無問題、弱接著部分之剝離性亦良好。 (實施例27)
    除將實施例24中的矽烷偶合劑處理改為實施例25所示之旋轉塗布法，並以電暈處理取代大氣壓電漿處理以外係同樣地進行處理，並進行使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程實驗。
    茲利用春日電機製電暈處理裝置，施加放電量1000W之功率並以10W/m2/min進行處理。此外，本實驗中係使用加工成與金屬遮罩相同形狀之厚度0.5mm的壓克力板來取代金屬遮罩。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。此後，進入下一步驟，即利用模具塗布機進行之聚醯胺酸溶液的塗布步驟，並通過既定製程。結果，在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為3.6N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為1.5N/cm。製程通過性無問題、弱接著部分之剝離性亦良好。 (實施例28)
    除將實施例24中的矽烷偶合劑處理改為實施例25所示之旋轉塗布法、將聚醯胺酸溶液改為合成例12中得到的聚醯胺酸溶液c，並以作為活性放射線處理之一的電子束照射處理取代大氣壓電漿處理以外係同樣地進行處理，並進行使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程實驗。
    茲利用Min-EB裝置(TOYO INK製)作為電子束照射裝置，以加速電壓30kV照射10kGy；此外，本實驗中係使用加工成與金屬遮罩相同形狀之厚度0.5mm的壓克力板來取代金屬遮罩。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。此後，進入下一步驟，即利用模具塗布機進行之聚醯胺酸溶液的塗布步驟，並通過既定製程。結果，在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為3.4N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為0.97N/cm。製程通過性無問題、弱接著部分之剝離性亦良好。 (實施例29)
    除將實施例24中的矽烷偶合劑處理改為實施例25所示之旋轉塗布法、將偶合劑改為3-胺基丙基三甲氧基矽烷、將聚醯胺酸溶液改為合成例14中得到的聚醯胺酸溶液e，並以活性氣體處理(氯氣)取代大氣壓電漿處理以外係同樣地進行處理，並進行使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程實驗。
    使用氯氣之活性氣體處理係按照以下程序進行。首先，將進行過矽烷偶合劑處理之玻璃在與金屬遮罩重疊的狀態下予以設置於可減壓之腔室內，對腔室內部進行減壓，接著將氮氣95%、氯氣5%之混合氣體導入腔室內，達到流量計算上腔室內部充滿有一大氣壓之混合氣體的狀態後保持30秒，其後停止氯氣的供給，持續流通氮氣60秒後停止氮氣的供給，再次對腔室內部進行減壓，以乾燥空氣暫時回升至常壓，再度進行減壓並再次回升至常壓，經此處理後由腔室內取出玻璃板。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。
    此後，進入下一步驟，即利用模具塗布機進行之聚醯胺酸溶液的塗布步驟，並通過既定製程。結果，在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為3.0N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為0.8N/cm。製程通過性無問題、弱接著部分之剝離性亦良好。 (實施例30)
    除將實施例24中的矽烷偶合劑處理改為實施例25所示之旋轉塗布法、將聚醯胺酸溶液改為合成例11中得到的聚醯胺酸溶液b，並以活性氣體處理(臭氧氣體)取代大氣壓電漿處理以外係同樣地進行處理，並進行使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程實驗。
    使用臭氧之活性氣體處理係為以下程序。首先，將進行過矽烷偶合劑處理之玻璃在與金屬遮罩重疊的狀態下予以設置於可減壓之腔室內，對腔室內部進行減壓，接著由臭氧產生器(PSA OZONIZER SGA-01-PSA2，住友精密工業公司製)將臭氧氣體導入腔室內，達到流量計算上腔室內部充滿有一大氣壓之臭氧的狀態後保持60秒，其後停止臭氧氣體的供給，再次對腔室內部進行減壓，以乾燥空氣暫時回升至常壓，再度進行減壓並再次回升至常壓，經此處理後由腔室內取出玻璃板。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。
    此後，進入下一步驟，即利用模具塗布機進行之聚醯胺酸溶液的塗布步驟，並通過既定製程。結果，在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為2.8N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為1.2N/cm。製程通過性無問題、弱接著部分之剝離性亦良好。 (實施例31)
    除將實施例24中的矽烷偶合劑處理改為實施例25所示之旋轉塗布法、將偶合劑改為3-胺基丙基三甲氧基矽烷，並進一步以藥液處理(過氧化氫處理)取代大氣壓電漿處理以外係同樣地進行處理，並進行使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程實驗。
    藥液處理係按照以下程序。使用5%過氧化氫水作為藥液。此外，利用縱切成寬5mm之聚醯亞胺膠帶(黏著劑係使用矽氧樹脂)來取代金屬遮罩，並予以黏貼於玻璃板之矽烷偶合劑處理面形成與金屬遮罩相同形狀。在噴灑式蝕刻裝置上安裝經遮蔽之玻璃板，以噴嘴噴灑過氧化氫水5分鐘後，用超純水沖洗之，乾燥後將取代遮罩之聚醯亞胺帶剝離。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。
    此後，進入下一步驟，即利用模具塗布機進行之聚醯胺酸溶液的塗布步驟，並通過既定製程。結果，在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為3.1N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為0.8N/cm。製程通過性無問題、弱接著部分之剝離性亦良好。 (實施例32)
    除將實施例24中的矽烷偶合劑處理改為實施例25所示之旋轉塗布法、將偶合劑改為3-胺基丙基三甲氧基矽烷，並進一步以藥液處理(硫酸處理)取代大氣壓電漿處理以外係同樣地進行處理，並進行使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程實驗。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。
    藥液處理係按照以下程序。使用50%硫酸水溶液作為藥液。此外，利用縱切成寬5mm之聚醯亞胺膠帶(黏著劑係使用矽氧樹脂)來取代金屬遮罩，並予以黏貼於玻璃板之矽烷偶合劑處理面形成與金屬遮罩相同形狀。接著將玻璃板沉浸在充滿藥液的處理槽中，以3分鐘緩緩振盪並予以提起後，用離子交換水、接著超純水沖洗之，乾燥後將取代遮罩之聚醯亞胺帶剝離。
    此後，進入下一步驟，即利用模具塗布機進行之聚醯胺酸溶液的塗布步驟，並通過既定製程。結果，在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為3.3N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為0.5N/cm。製程通過性無問題、弱接著部分之剝離性亦良好。 (實施例33)
    除將實施例24中的矽烷偶合劑處理改為實施例25所示之旋轉塗布法、將偶合劑改為3-胺基丙基三甲氧基矽烷，並進一步以藥液處理(鹽酸處理)取代大氣壓電漿處理以外係同樣地進行處理，並進行使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程實驗。
    藥液處理係按照以下程序。使用35%鹽酸作為藥液。此外，利用縱切成寬5mm之聚醯亞胺膠帶(黏著劑係使用矽氧樹脂)來取代金屬遮罩，並予以黏貼於玻璃板之矽烷偶合劑處理面形成與金屬遮罩相同形狀。接著將玻璃板沉浸在充滿藥液的處理槽中，以3分鐘緩緩振盪並予以提起後，用離子交換水、接著超純水沖洗之，乾燥後將取代遮罩之聚醯亞胺帶剝離。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。
    此後，進入下一步驟，即利用模具塗布機進行之聚醯胺酸溶液的塗布步驟，並通過既定製程。結果，在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為3.2N/cm。另一方面，在非罩蔽部之180度剝離強度為0.7N/cm。製程通過性無問題、弱接著部分之剝離性亦良好。 (實施例34)
    除將實施例24中的矽烷偶合劑處理改為實施例25所示之旋轉塗布法、將偶合劑改為3-胺基丙基三甲氧基矽烷，並進一步以藥液處理(氫氟酸處理)取代大氣壓電漿處理以外係同樣地進行處理，並進行使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程實驗。
    藥液處理係按照以下程序。使用5%氫氟酸水溶液作為藥液。此外，利用縱切成寬5mm之聚醯亞胺膠帶(黏著劑係使用矽氧樹脂)來取代金屬遮罩，並予以黏貼於玻璃板之矽烷偶合劑處理面形成與金屬遮罩相同形狀。接著將玻璃板沉浸在充滿藥液的處理槽中，以3分鐘緩緩振盪並迅速予以提起後，用離子交換水、接著超純水沖洗之，乾燥後將取代遮罩之聚醯亞胺帶剝離。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。
    此後，進入下一步驟，即利用模具塗布機進行之聚醯胺酸溶液的塗布步驟，並通過既定製程。結果，在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為3.0N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為0.4N/cm。製程通過性無問題、弱接著部分之剝離性亦良好。 (實施例35)
    除將實施例24中的矽烷偶合劑處理改為實施例25所示之旋轉塗布法，並進一步將大氣壓電漿處理改為雷射光的直接描繪以外係同樣地進行處理，並進行使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程實驗。
    茲利用YAG雷射標記裝置作為雷射光的直接描繪裝置，透過以YAG雷射光掃描相當於金屬遮罩之開口部分的部分來實施圖案化處理。此外，YAG雷射光的輸出係設為可標記於玻璃的功率的1/10。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。
    此後，進入下一步驟，即利用模具塗布機進行之聚醯胺酸溶液的塗布步驟，並通過既定製程。結果，在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為3.2N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為0.7N/cm。製程通過性無問題、弱接著部分之剝離性亦良好。 (實施例36)
    茲利用濃度0.2重量%之3-胺基丙基三甲氧基矽烷的異丙醇溶液對玻璃板(CORNING EAGLE XG 370mm×470mm，0.7mm厚)進行旋轉塗布。
    在光阻塗布用旋轉塗布機上安裝玻璃板(CORNING EAGLE XG 300mm×300mm，0.7mm厚)，使用3-胺基丙基三甲氧基矽烷作為矽烷偶合劑，並使用濃度0.2重量%之異丙醇溶液來對玻璃板進行塗布，次之，放入置於無塵環境下的100℃乾燥烘箱中10分鐘以進行乾燥、熱處理。由橢圓偏振法所測得的矽烷偶合劑層之厚度，中央部為50nm，端部為30nm。處理後之無機層表面(SC層表面)之處理部的表面粗糙度(Ra)為0.6nm、未處理部的表面粗糙度(Ra)為0.5nm。
    於所得之偶合劑處理玻璃板上重合68mm×110mm之長方形開口部隔著寬5mm之遮蔽部分排列成陣列狀的不鏽鋼製金屬遮罩，確認金屬遮罩與玻璃板間無間隙後，藉由使用以流量比計為氮90/氧10之混合氣體的大氣壓電漿處理裝置，來進行作為圖案化處理之大氣壓電漿處理。大氣壓電漿處理裝置係具備狹縫狀之橫長形頭部可自動式地在工件上移動之類型之機構，且玻璃板暴露於電漿下的時間約為30秒左右。
    次之，利用模具塗布機塗布合成例10中得到的聚醯胺酸溶液a，在乾燥氮氣流通的乾燥烘箱中，於80℃下乾燥30分鐘、於100℃下乾燥90分鐘，接著移至經氮氣置換的惰性熱處理爐，以5℃/分鐘之升溫速度由100℃升溫至200℃，保持30分鐘後以5℃/分鐘升溫至450℃，再保持於450℃ 1分鐘後，以20℃/分鐘冷卻至室溫，即得積層體。積層體之聚醯亞胺層之厚度為23μm。
    在所得之積層體之遮罩部之聚醯亞胺層的180度剝離強度為4.5N/cm。另一方面，在非遮罩部之180度剝離強度為0.35N/cm。
    作為在所得之積層板上使用低溫多晶矽之薄膜電晶體陣列製作的模擬製程，係利用既定測試圖案，以反應性濺鍍法積層氧化矽層作為平坦化層兼氣體阻絕層、以濺鍍法積層鉭層作為源極、汲極層，並以CVD法積層非晶矽層作為障壁金屬層、半導體層，再以420℃實施40分鐘退火處理藉以使矽層微多晶化後，重疊SiN層作為閘極絕緣層、重疊鋁作為閘極層。此外，各層係依照既定測試圖案，以遮蔽或光微影法圖案化；模擬裝置係形成薄膜電晶體陣列。裝置部分係形成為圖案化處理時之金屬遮罩的開口部分。以上製程中，雖暴露於真空氣體環境、高溫下、光微影法所使用之光阻液、顯影液、蝕刻液、剝離液，惟聚醯亞胺層並未由玻璃層剝離，製程適合度良好。
    次之，依照圖案化處理時所使用之金屬遮罩的圖案，於遮罩之遮蔽部分與開口部分的邊界，將聚醯亞胺層劃出切口並將形成有裝置的部分剝離。以剝離而言，用刀具將端部略為剝起即可容易地進行。針對經遮蔽之寬5mm的部分亦同樣嘗試予以剝離，惟難以不破壞聚醯亞胺層而剝離。 [產業上之可利用性]
    依本發明製造方法得到的積層體係一種將選自玻璃板、陶瓷板、矽晶圓、金屬中之一種無機層的一面、與樹脂層未隔著接著劑層貼合而成之積層體，依本發明製造方法得到的附有裝置之樹脂薄膜係使用前述積層體而得到；將易剝離部分之樹脂層劃出切口而將該樹脂層由前述無機層輕易地剝離，便可製作附有裝置之樹脂薄膜。
    本發明積層體係一種在製造極輕薄之樹脂上之細微電路基板、裝置構造體等的過程中可有效地使用，並具有可耐受金屬化等溫度提高之步驟的有耐熱性之積層體，於其後之圖案製作中尺寸變化亦小，故可製得誤差較小的電路圖案。可進一步視需求將該無機基板順利地剝除，可於極薄之絕緣性、耐熱性、尺寸穩定性優良之樹脂薄膜上，高精度地形成電路、裝置，因此在細微電路板、感測器等裝置製造上係屬有效。
    (第1圖)
    1‧‧‧玻璃基板
    2‧‧‧矽烷偶合劑層
    3‧‧‧UV光遮罩
    4‧‧‧矽烷偶合劑層UV照射未處理部
    5‧‧‧矽烷偶合劑層UV照射處理部
    6‧‧‧樹脂層
    7‧‧‧矽烷偶合劑層UV照射處理部上之樹脂薄膜
    (第2圖)
    1‧‧‧玻璃基板
    2‧‧‧矽烷偶合劑層
    3‧‧‧UV光遮罩
    4‧‧‧矽烷偶合劑層UV光未照射部
    5‧‧‧矽烷偶合劑層UV光照射部
    6‧‧‧樹脂層
    7‧‧‧矽烷偶合劑層UV光照射部上之樹脂薄膜
    8‧‧‧電路
    (第3圖)
    1‧‧‧矽烷偶合劑層UV照射未處理部
    2‧‧‧矽烷偶合劑層UV照射處理部
    (第4圖)
    1‧‧‧無機層
    2‧‧‧Al
    3‧‧‧陽極形成膜(Al2O3)
    4‧‧‧第一氮化矽
    5‧‧‧氫化非晶質矽
    6‧‧‧第二氮化矽
    7‧‧‧非晶質矽n層
    8‧‧‧Cr．Al層
    9‧‧‧閘極配線
    10‧‧‧信號線
    11‧‧‧閘極配線匯流排線
    12‧‧‧透明電極
    (第5圖)
    1‧‧‧積層體(無機層)
    2‧‧‧第一電極
    3‧‧‧發光層
    4‧‧‧第二電極
    5‧‧‧間壁
    6‧‧‧保護膜
    第1圖係UV照射步驟例1：
    (1)無機層
    (2)於無機層上塗布矽烷偶合劑並加以乾燥後，形成矽烷偶合劑層
    (3)設置遮斷UV光之遮罩後實施UV照射處理
    (4)UV照射處理後移去遮斷UV光之遮罩
    (5)製作樹脂層
    (6)將樹脂薄膜之矽烷偶合劑層UV照射處理部分周邊切除並由玻璃剝離。
    第2圖係UV照射步驟例2：
    (1)無機層
    (2)於無機層上塗布矽烷偶合劑並加以乾燥後，形成矽烷偶合劑層
    (3)設置遮斷UV光之遮罩後實施UV照射處理
    (4)UV照射處理後移去遮斷UV光之遮罩
    (5)製作樹脂層及電路配線
    (6)將樹脂薄膜之矽烷偶合劑層UV照射處理部分周邊切除並由玻璃剝離。
    第3圖係圖案實例。
    第4圖係表示屬裝置構造體之一例之顯示裝置(顯示用面板)的剖面圖(a)及俯視圖(b)。
    第5圖係表示屬裝置構造體之另一例之顯示裝置(顯示用面板)的剖面圖。
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種積層體之製造方法，係至少由無機層與樹脂層構成之積層體之製造方法，其特徵為包含下述步驟(1)~(3)：(1)對無機層之至少單面的表面實施偶合劑處理之步驟；(2)對藉由上述步驟(1)而經偶合劑處理之無機層的至少單面，進行形成無機層與樹脂層之間的接著剝離強度相異、表面粗糙度大致相同之良好接著部分與易剝離部分的圖案化處理之步驟；及(3)將在藉由上述步驟(2)而經施予圖案化處理之無機層的偶合劑處理面上塗布樹脂溶液、或樹脂前驅體溶液得到的塗布溶液層乾燥，接著實施熱處理而形成前述樹脂層之步驟。
    [2] 如申請專利範圍第1項之積層體之製造方法，其中前述圖案化處理係透過對偶合劑處理層的一部分施予鈍化處理，形成既定圖案來進行。
    [3] 如申請專利範圍第2項之積層體之製造方法，其中前述鈍化處理係進行至少一種以上之處理，該處理係將既定部分被覆或遮蔽後進行，並選自包含鼓風處理、真空電漿處理、大氣壓電漿處理、電暈處理、活性放射線照射處理、活性氣體處理、及藥液處理之群組。
    [4] 如申請專利範圍第3項之積層體之製造方法，其中前述活性放射線處理係UV照射處理。
    [5] 如申請專利範圍第1至4項中任一項之積層體之製造方法，其中前述樹脂層係包含藉由芳香族二胺類與芳香族四羧酸類反應所得之聚醯亞胺。
    [6] 如申請專利範圍第1至4項中任一項之積層體之製造方法，其中前述樹脂層係包含藉由芳香族二胺類與芳香族四羧酸類反應所得之聚醯亞胺，該芳香族二胺類的70mol%以上至少包含選自具有苯并唑結構之芳香族二胺、具有二胺基二苯醚結構之芳香族二胺及具有苯二胺結構之芳香族二胺的一種以上而成的芳香族二胺類，該芳香族四羧酸類中的70mol%以上則至少包含選自苯均四酸二酐、聯苯四羧酸二酐的一種以上而成的芳香族四羧酸類。
    [7] 一種由如申請專利範圍第1至6項中任一項之製造方法得到之積層體，係將無機層與樹脂層隔著偶合劑處理層積層而成，其特徵為具有前述無機層與前述樹脂層之間之剝離強度相異的良好接著部分與易剝離部分，且該良好接著部分與該易剝離部分形成有既定圖案。
    [8] 如申請專利範圍第7項之積層體，其中前述易剝離部分之無機層與樹脂層之間的180度剝離強度於良好接著部分係1N/cm以上，前述易剝離部分之無機層與樹脂層之間的180度剝離強度係前述良好接著部分之無機層與樹脂層之間的180度剝離強度的50%以下。
    [9] 如申請專利範圍第7或8項之積層體，其中前述樹脂層的厚度為0.5μm~50μm，前述樹脂層之面方向的線膨脹係數為-5ppm/℃~+35ppm/℃。
    [10] 一種裝置構造體之製造方法，係製造在樹脂層上形成裝置而成的構造體之方法，其特徵為使用具有無機層與樹脂層之如申請專利範圍第7至9項中任一項之積層體，且於該積層體之樹脂層上形成裝置後，將前述積層體之易剝離部分的樹脂層劃出切口，以將該樹脂層由前述無機層剝離。
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011091041||2011-04-15||
    JP2011120413||2011-05-30||
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